调整聚合物记忆体单元之程式化临界的系统及方法

摘要

提供调整与聚合物记忆体单元(215，640)操作相关之临界的系统与方法，系藉由在后制造阶段施加经调整之电场与／或电压脉冲宽度于该聚合物记忆体单元上。该程式化临界之客制化(customization)一般可在程式化该记忆体单元之任一周期(215，640)获得，以增加电路设计之弹性。因此，本发明提供电流–电压值域，与／或频率–时间值域，以助于调整该聚合物记忆体单元(215，640)之程式化临界。