发明名称 半导体记忆装置及其阵列内部电源电压产生方法
摘要 本发明揭示一种与半导体记忆体装置内之内部阵列电压产生器一起使用之设备及方法。于一所述实施例中,使用一过激励位准控制电路以正好在一感测作业之前为一内部阵列电压产生器驱动器产生一过激励控制信号。该过激励位准控制电路使用一单元模拟电路,以正好在该感测作业之前估计该感测作业之一电流需求;及一放大器,以响应所估计之电流需求产生该过激励控制信号。此一设计允许过激励信号量跟踪制程、电压及温度改变(例如)以提供一允许该内部阵列电压保持稳定之精确过激励。本文亦描述及提出了其他实施例。
申请公布号 TW200623124 申请公布日期 2006.07.01
申请号 TW094120869 申请日期 2005.06.22
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 徐恩圣
分类号 G11C11/4074 主分类号 G11C11/4074
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国
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