| 主权项 |
1.一种于一半导体晶片上制造一垂直式双载子电 晶体的方法,该半导体晶片包含有一第一导电型式 的第一掺杂区域,一第二导电型式的第二掺杂区域 ,以及复数个间隔物设于该第一掺杂区域以及该第 二掺杂区域表面,该方法包含有下列步骤: 于该第二掺杂区域上方形成一第一导电型式的第 三掺杂区域; 于该半导体晶片表面形成一遮蔽层; 去除部分之该遮蔽层,以于该遮蔽层中形成一开口 通达至该第三掺杂区域表面; 于该第三掺杂区域上方形成一第二导电型式的掺 杂层;以及 利用一自行对准金属矽化制程(self-aligned silicidation, salicide)于该第二掺杂区域、该第三掺 杂区域与该掺杂层表面形成一金属矽化物层,用来 作为该垂直式双载子电晶体之接触区。 2.如申请专利范围第1项所述之制造垂直式双载子 电晶体的方法,其中该间隔物系以浅沟隔离(shallow trench isolation, STI)方式形成。 3.如申请专利范围第1项所述之制造垂直式双载子 电晶体的方法,其中该间隔物系以局域性矽氧化( local oxidation of silicon, LOCOS)方式形成。 4.如申请专利范围第1项所述之制造垂直式双载子 电晶体的方法,其中该第二掺杂区域另包含至少一 第二导电型式的高浓度离子掺杂区域。 5.如申请专利范围第1项所述之制造垂直式双载子 电晶体的方法,其中该遮蔽层包含有氧化物及/或 氮化矽。 6.如申请专利范围第1项所述之制造垂直式双载子 电晶体的方法,其中该掺杂层系以选自磊晶/非晶 矽/多晶矽之材料形成。 7.如申请专利范围第1项所述之制造垂直式双载子 电晶体的方法,其中该方法于进行该自行对准金属 矽化制程之前,另包含于该掺杂层之部分表面形成 一自行对准金属矽化物阻挡层,以及于该掺杂层之 侧壁表面形成一侧壁子结构。 8.如申请专利范围第1项所述之制造垂直式双载子 电晶体的方法,其中该第一导电型式为P型,且第二 导电型式为N型。 9.如申请专利范围第1项所述之制造垂直式双载子 电晶体的方法,其中该第一导电型式为N型,且第二 导电型式为P型。 10.如申请专利范围第1项所述之制造垂直式双载子 电晶体的方法,其中该方法另包含于该半导体晶片 表面制造至少一互补式金氧半导体电晶体,且该第 三掺杂区域系与该互补式金氧半导体电晶体之至 少一源极/汲极利用同一离子布植制程形成。 11.如申请专利范围第1项所述之制造垂直式双载子 电晶体的方法,其中该方法另包含于该掺杂层植入 高浓度之第二导电型式离子,以降低该掺杂层之阻 値。 12.一种于一半导体晶片上制造一垂直式双载子电 晶体的方法,该半导体晶片包含有一N型的第一掺 杂区域,一P型的第二掺杂区域,以及复数个间隔物 设于该第一掺杂区域以及该第二掺杂区域表面,该 方法包含有下列步骤: 于该第二离子区域上方形成一N型的第三掺杂区域 ; 于该半导体晶片表面形成一遮蔽层; 去除部分之该遮蔽层,以于该遮蔽层中形成一开口 通达至该第三离子区域; 于该第三掺杂区域上方形成一P型的掺杂层;以及 利用一自行对准金属矽化制程于该第二掺杂区域 、该第三掺杂区域与该掺杂层表面形成一金属矽 化物层,用来作为该垂直式双载子电晶体之接触区 。 13.如申请专利范围第12项所述之制造垂直式双载 子电晶体的方法,其中该间隔物系以浅沟隔离方式 形成。 14.如申请专利范围第12项所述之制造垂直式双载 子电晶体的方法,其中该间隔物系以局域性矽氧化 方式形成。 15.如申请专利范围第12项所述之制造垂直式双载 子电晶体的方法,其中该第二掺杂区域另包含至少 一P型的高浓度离子掺杂区域。 16.如申请专利范围第12项所述之制造垂直式双载 子电晶体的方法,其中该遮蔽层包含有氧化物及/ 或氮化矽。 17.如申请专利范围第12项所述之制造垂直式双载 子电晶体的方法,其中该掺杂层系以选自磊晶/非 晶矽/多晶矽之材料形成。 18.如申请专利范围第12项所述之制造垂直式双载 子电晶体的方法,其中该方法于进行该自行对准金 属矽化制程之前,另包含于该掺杂层之部分表面形 成一自行对准金属矽化物阻挡层,以及于该掺杂层 之侧壁表面形成一侧壁子结构。 19.如申请专利范围第12项所述之制造垂直式双载 子电晶体的方法,其中该方法另包含于该半导体晶 片表面制造至少一互补式金氧半导体电晶体,且该 第三掺杂系与该互补式金氧半导体电晶体之至少 一源极/汲极利用同一离子布植制程形成。 20.如申请专利范围第12项所述之制造垂直式双载 子电晶体的方法,其中该方法另包含于该掺杂层植 入高浓度之P型离子,以降低该掺杂层之阻値。 图式简单说明: 第一图为系为习知垂直式双载子电晶体的剖面图 。 第二图至第五图系为本发明第一较佳实施方式之 制造垂直式双载子电晶体的方法示意图。 第六图为依本发明第一较佳实施方式所制造之垂 直式双载子电晶体的金属接触区俯视图。 第七图至第十一图系为本发明第二较佳实施方式 之制造垂直式双载子电晶体的方法示意图。 第十二图至第十六图系为本发明第三较佳实施方 式之制造垂直式双载子电晶体的方法示意图。 第十七图为依本发明第三较佳实施方式所制造之 垂直式双载子电晶体的金属接触区俯视图。 |
