| 主权项 |
1.一种微影评估方法,其特征在于包含: 准备基板之步骤,该基板具备有半导体基板、以及 形成于该半导体基板上且包含至少一个以上配线 层之配线构造; 将上述基板区分为复数个评估对象区域之步骤;及 预先取得上述配线构造相关之属性値,根据该配线 构造相关之属性値,评估上述复数个评估对象区域 中之各个之近接效应的步骤。 2.如请求项1之微影评估方法,其中上述配线构造相 关之上述属性値系上述配线构造中之配线层层数 以及配线层厚度的至少一方。 3.如请求项1之微影评估方法,其中上述配线构造相 关之上述属性値系于将自上述基板表面第i号之配 线层深度位置设为Pi,且将赋予该Pi之加权系数设 为ki之情形时,以Piki之i之总和所赋予的上述配线 构造中之配线层层数。 4.如请求项1至3中任何一项之微影评估方法,其中 进而包含根据评估上述复数个评估对象区域中之 近接效应的步骤结果,估计形成于上述基板上之光 阻图案之尺寸误差的步骤。 5.一种微影评估方法,其特征在于包含: 准备基板之步骤,该基板具备有半导体基板、以及 形成于该半导体基板上且包含至少一个以上配线 层之配线构造;及 预先取得上述配线构造中之配线层层数以及配线 层厚度相关的属性与将带电粒子射束照射至形成 于上述基板上之光阻时,于上述配线构造所反射之 带电粒子之上述基板表面中反射能量相关属性的 关系,且根据上述配线构造中之配线层层数以及配 线层厚度相关属性与上述带电粒子在上述基板表 面上之反射能量相关属性的关系,取得藉由使用带 电粒子射束之微影方法而形成于上述基板上之光 阻图案的尺寸误差与上述配线构造中之配线层层 数以及配线层厚度相关属性値之关系的步骤。 6.如请求项5之微影评估方法,其中上述带电粒子之 上述基板表面中反射能量相关属性系上述带电粒 子射束之后方散射径或后方散射系数。 7.如请求项5或6之微影评估方法,其中进而包含于 三次元空间内,表现上述配线构造所反射之带电粒 子在上述基板表面上之反射能量相关属性的上述 配线构造中之配线层层数以及厚度之依存性的步 骤,上述三次元空间系以将上述配线构造中之配线 层层数设为第一座标轴,将上述配线构造中之配线 层厚度设为第二座标轴,将带电粒子射束照射至形 成于上述基板上之光阻时,上述配线构造所反射之 带电粒子在上述基板表面上之反射能量相关之属 性设为由第三座标轴的三个座标轴所规定者。 8.如请求项5或6之微影评估方法,其中取得上述配 线构造中之配线层层数以及配线层厚度相关属性 与上述配线构造所反射之带电粒子在上述基板表 面上之反射能量相关属性之关系的步骤包含: 取得上述配线构造所反射之带电粒子之上述基板 表面中反射能量相关属性的上述配线构造中之配 线层层数之依存性的步骤,以及取得上述配线构造 所反射之带电粒子在上述基板表面上之反射能量 相关属性的上述配线构造中之配线层厚度之依存 性的步骤。 9.如请求项5或6之微影评估方法,其中进而包含根 据上述配线构造中之配线层层数以及配线层厚度 相关属性与上述配线构造所反射之带电粒子在上 述基板表面上之反射能量相关属性的关系,抽取上 述配线构造所反射之带电粒子之在上述基板表面 上之反射能量相关属性値超过特定値的上述配线 构造中之配线层层数以及配线层厚度相关之属性 値,且算出对应于该抽取之配线构造中之配线层层 数以及配线层厚度相关属性値的上述配线构造中 之配线层层数以及厚度的步骤。 10.一种微影评估方法,其特征在于包含: 准备基板之步骤,该基板具备有半导体基板,以及 形成于该半导体基板上且包含至少一个以上配线 层之配线构造; 将上述基板区分为复数个评估对象区域之步骤;及 根据藉由使用带电粒子射束之微影方法而形成于 上述基板上的光阻图案之尺寸误差与上述配线构 造中之配线层层数以及配线层厚度相关属性値的 关系,评估上述复数个评估对象区域之各个之近接 效应的步骤。 11.如请求项10之微影评估方法,其中藉由使用带电 粒子射束之微影方法而形成于上述基板上的光阻 图案之尺寸误差与上述配线构造中之配线层层数 以及配线层厚度相关属性値的关系系使用下述步 骤而取得:于请求项5至9中任何一项之微影评估方 法中取得配线构造中之配线层层数以及配线层厚 度相关属性与上述配线构造所反射之带电粒子在 基板表面上之反射能量相关属性的关系。 12.一种微影方法,其特征在于包含: 准备基板之步骤,该基板具备有半导体基板,以及 形成于该半导体基板上且包含至少一个以上配线 层之配线构造; 将上述基板区分为复数个评估对象区域之步骤; 将带电粒子射束照射至形成于上述基板上之光阻 时,取得上述配线构造所反射之带电粒子之上述基 板表面中反射能量相关之属性的步骤; 根据上述所取得之上述属性値,评估上述复数个评 估对象区域之各个之近接效应的步骤;及 根据上述所评估之近接效应,以由上述光阻所构成 之光阻图案尺寸成为特定尺寸之方式,修正上述光 阻图案的步骤。 13.如请求项12之微影方法,其中修正上述光阻图案 之步骤系藉由变更上述光阻图案尺寸或上述光阻 之曝光量而实施。 14.一种可电脑读取之记忆媒体,其系记忆有用以使 电脑执行下述步骤之程式者: 读入基板相关资料的步骤,该基板具备有半导体基 板、以及形成于该半导体基板上且包含至少一个 以上配线层之配线构造; 将上述基板区分为复数个评估对象区域的步骤;及 预先取得上述配线构造中之配线层层数以及配线 层厚度相关之属性値,评估上述复数个评估对象区 域中之各个之近接效应的步骤。 15.一种可电脑读取之记忆媒体,其系记忆有用以使 电脑执行下述步骤之程式者; 读入基板相关资料的步骤,该基板具备有半导体基 板、以及形成于该半导体基板上且包含至少一个 以上配线层之配线构造;及 预先取得包含上述配线构造中之配线层层数以及 配线层厚度的上述配线构造中之配线层层数以及 配线层厚度相关之属性与将带电粒子射束照射至 形成于上述基板上之光阻时,上述配线构造所反射 之带电粒子在上述基板表面上之反射能量相关属 性的关系,且根据上述配线构造中之配线层层数以 及配线层厚度相关属性与上述带电粒子在上述基 板表面上之反射能量相关属性的关系,取得藉由使 用带电粒子射束之微影方法而形成于上述基板上 之光阻图案尺寸误差与上述配线构造中之配线层 层数以及配线层厚度相关属性値之关系的步骤。 图式简单说明: 图1系表示作为评估对象之基板的剖面图。 图2系表示作为评估对象之基板中W配线层厚度与 后方散射系数的关系图。 图3(a)-(b)系作为评估对象之基板的平面图以及剖 面图。 图4系表示实施形态之电子射束微影评估方法的流 程图。 图5系表示作为评估对象之基板之区分方法图。 图6系用以说明未采用之Cu配线层数的剖面图。 图7系表示尺寸误差与配线层数之关系图。 图8系表示配线层数为四层之基板的剖面图 图9系表示配线层数为四层之情形时尺寸误差与配 线层数之关系图。 图10系表示由于地方不同而W配线厚度(W配线层数) 有所不同之基板的剖面图。 图11系表示于图10之基板上形成有光阻图案之情形 时,藉由模拟方式调查由于W配线厚度(W配线层数) 会使后方散射系数如何变化之结果图。 图12系表示由于地方不同而W配线深度有所不同之 基板的剖面图。 图13系表示于图11之基板上形成有光阻图案之情形 时,藉由模拟方式调查由于W配线深度会使后方散 射系数如何变化之结果图。 图14系将W配线厚度与后方散射系数之关系以及W配 线深度位置与后方散射系数之关系,表示于同一图 上的图。 图15系表示求得反射能量量之配线层厚度以及深 度之依存性之方法的流程图。 图16系表示作为评估对象之基板的平面图。 图17系图16平面图之B-B'剖面图。 图18系表示作为评估对象之基板的区分方法图。 图19系表示三层之多层配线的配置关系图。 图20系将配线层厚度与后方散射系数之关系以及 配线层深度与后方散射系数之相对关系,表示于同 一曲线上的图。 图21系表示配置关系2-4之配线层相当于图20之哪个 位置的图。 图22系表示实施形态之电子射束微影方法的流程 图。 |
