基板处理装置及半导体装置之制造方法

摘要

【课题】 在被冷却的金属凸缘可抑制反应副生成物之形成，并延长装置的保养周期。【解决之手段】 以一定的处理温度处理基板W的基板处理装置之纵型CVD装置，具备有：被同心状配设的石英制之外部反应管11及石英制之内部反应管12。外部反应管11为介由O环7被立设在金属凸缘20的上端。内部反应管12为被立设在金属凸缘20的内壁。O环7为介由金属凸缘20而被冷却。以炉口盖32关闭金属凸缘20的下部开口16。在金属凸缘20设置气体导入喷嘴21，使反应气体可以导入内部反应管12内。在立设于金属凸缘20上的外部反应管11一体设置排气口22，高温的排气体在通过金属凸缘20之前，自排气口22被排气。

主权项

1.一种基板处理装置,其具备有: 由非金属构成的反应管;及 使前述反应管内加热至一定的处理温度之加热手 段;及载置前述反应管的金属凸缘;及 关闭前述金属凸缘的下部开口之炉口盖;及 被设在前述金属凸缘上可导入反应气体至前述反 应管内之气体导入口;及 一体被设在前述反应管上而可对该反应管内排气 的排气口; 而在前述反应管内处理基板者。 2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,前 述之一定的处理温度为600-750℃,而在减压下处理 前述基板者。 3.一种基板处理装置,其特征为,具备有: 由非金属构成的处理基板之反应管;及 导入反应气体至前述反应管内之气体导入口;及 使前述反应管内加热至一定的处理温度之加热手 段;及 介由O环载置前述反应管的金属凸缘;及 可关闭前述金属凸缘的下部开口之炉口盖,及 可流通对设在前述金属凸缘的前述O环冷却之冷却 媒体的冷媒流路;及 一体设在前述反应管上而对该反应管内排气的排 气口;而在前述反应管内处理前述基板后的气体, 在通过前述O环之前即自前述排气口被排气者。 4.一种半导体装置之制造方法,为在半导体装置之 制造方法中, 使用具备有:由非金属构成的反应管;及,使前述反 应管内加热至一定的处理温度之加热手段;及,载 置前述反应管的金属凸缘;及,可关闭前述金属凸 缘的下部开口之炉口盖;及,被设在前述金属凸缘 上可导入反应气体至前述反应管内之气体导入口; 及,一体被设在前述反应管上而可对该反应管内排 气的排气口;如此所成之基板处理装置,在前述反 应管内形成半导体装置者。 5.一种半导体装置之制造方法,为在半导体装置之 制造方法中, 使用具备有:由非金属构成的处理基板之反应管; 及,导入反应气体至前述反应管内之气体导入口; 及,使前述反应管内加热至一定的处理温度之加热 手段;及,介由O环载置前述反应管的金属凸缘;及, 可关闭前述金属凸缘的下部开口之炉口盖;及,可 流通对设在前述金属凸缘的前述O环冷却之冷却媒 体的冷媒流路;及,一体设在前述反应管上而对该 反应管内排气的排气口;在前述反应管内处理前述 基板后的气体,在通过前述O环之前即自前述排气 口被排气,如此所成之基板处理装置,在前述反应 管内形成半导体装置者。 图式简单说明: 图1为实施本发明的半导体装置之制造方法的基板 处理装置被适用于纵型CVD装置之概略图。 图2为实施形态之纵型CVD装置的下部构造之详细要 部图。 图3为实施形态的变形例之纵型CVD装置的下部构造 之详细要部图。 图4为实施形态之排气系的构成图。 图5为根据习知例之纵型CVD装置的下部构造之详细 要部图。