| 主权项 |
1.一种贵金属奈米粒,该贵金属奈米粒之颗粒大小 范围在0.1至30奈米之间,系存在于含贵金属错合物 之化合物的水溶液中,其制备方法系为将贵金属块 材以电化学之氧化-还原循环(ORC)程序粗化,形成含 贵金属之安定错合物水溶液,再配合改变不同声功 速率及/或阴极过电位之电化学还原法制造可控制 大小之贵金属奈米粒。 2.如申请专利范围第1项之贵金属奈米粒,其中可与 金属形成安定错合物之化合物包含卤化物及/或胺 化合物及/或氰化物。 3.如申请专利范围第1项之贵金属奈米粒,系以声波 电化学还原法,配合使用不同之阴极过电位,在无 需添加任何稳定剂之情况下,制造不同大小需求之 安定贵金属奈米粒。 4.如申请专利范围第1项之贵金属奈米粒,可额外加 入其他稳定剂。 5.如申请专利范围第1项之贵金属奈米粒,可额外加 入硫酸十二基钠)与糖球,或一些稳定的技术,如硫 醇-配位包覆与高分子捕捉试剂等稳定剂。 6.如申请专利范围第1项之贵金属奈米粒,其中贵金 属,包括金、银,铂、铑、铱、钯、钇、钌、铼、 锇、铜等。 7.如申请专利范围第1项之贵金属奈米粒,其中贵金 属为黄金、白金、银。 8.如申请专利范围第1项之贵金属奈米粒,系应用于 蛋白质之侦测、气体感测器、化妆水、化妆乳液 与触媒等。 9.如申请专利范围第1项之贵金属奈米粒,系应用于 蛋白质之侦测。 10.如申请专利范围第1项之贵金属奈米粒,系应用 于气体感测器。 11.如申请专利范围第1项之贵金属奈米粒,系应用 于化妆水、化妆乳液。 12.如申请专利范围第1项之贵金属奈米粒,系应用 于触媒。 13.如申请专利范围第1项之贵金属奈米粒,系应用 于有机合成触媒、聚合触媒、光触媒。 14.一种制造贵金属奈米粒之方法,系于含有可与贵 金属形成安定错合物之化合物的水溶液中,以电化 学之氧化-还原循环(ORC)程序粗化贵金属基材,以制 造含有贵金属的奈米错合物,然后以声波电化学还 原法,配合使用不同之阴极过电位,在无需添加任 何稳定剂之情况下,制造不同大小需求之安定贵金 属奈米粒,其中该阴极过电位为0.01-6V。 15.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中可与金属形成安定错合物之化合物为卤 化物及/或胺化合物及/或氰化物。 16.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中制造颗粒大小范围约在0.1至30奈米之安 定贵金属奈米粒。 17.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中卤化物包含:卤酸及/或卤盐类。 18.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中卤酸包含氢化氟、氯化氢、溴化氢、碘 化氢、过氟酸、过氯酸、过溴酸、过碘酸等及其 盐类。 19.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中卤化盐包含硷金属卤化物、硷土金属卤 化物、卤化铵盐、卤酸盐,及其他卤化物等。 20.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中卤化物为卤化氢及硷金属卤化物。 21.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中卤化物为氯化氢、氯化钾。 22.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中胺化合物包含氨水、铵盐、氨基酸、醋 酸铵、氟化氢铵、氟化氨、草酸氢铵、草酸铵、 硫酸铵、硫酸氢氨、硼酸氨、溴化铵、碳酸铵、 氯酸铵、氯化铵、氨基甲酸铵、碘酸铵、碘化胺 、过氯酸铵、磷酸铵等。 23.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中氰化物包含氢化氰、氰化钠、氰化钾、 氰胺、氰基醯胺、氰基醋酸、溴化氰、氯化氰、 碘化氰等。 24.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中卤化物及/或胺化合物及/或氰化物之水 溶液浓度范围依化合物种类而定,以能与贵金属形 成稳定错合物为主。 25.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中盐酸溶液浓度为0.01-12N。 26.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中盐酸溶液浓度为0.03-3N。 27.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中盐酸溶液浓度为0.05-1N。 28.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中盐酸溶液浓度为0.06-0.3N。 29.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其阴极过电位为0.01-6V。 30.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其阴极过电位为0.1-3V。 31.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其阴极过电为0.2-0.8V。 32.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中贵金属基材系已事先排除氧气之卤化物 及/或胺化合物及/或氰化物之水溶液中进行粗化 处理。 33.如申请专利范围第14项之制造贵金属奈米粒之 方法,其中系在超音波与轻微之搅拌下,分别进行 不同时间,以制造不同大小之贵金属奈米粒。 图式简单说明: 图1. 黄金基材于0.1N之盐酸水溶液中以扫描速率为 500 mV/s之电化学ORC程序粗化时,第100圈之循环伏安 图。 图2. (a)以0.2 V的阴极过电位,在超音波与轻微之搅 拌下,于含有金与氯之错合物的水溶液中制造黄金 奈米粒之电量-时间图;(b)水溶液中仅含0.1N盐酸之 空白实验。 图3. 奈米金之TEM图,显示颗粒大小与分散情形;制 备条件为以0.2 V的阴极过电位,在超音波与轻微之 搅拌下,于含有金与氯之错合物的水溶液中制造黄 金奈米粒。 图4. 含有奈米金胶体溶液之紫外光-可见光吸收光 谱;(a)以ORC粗化黄金基材后含有金与氯之错合物; 于含有金与氯之错合物的水溶液中,以0.2V的阴极 过电位,在超音波与轻微之搅拌下,分别还原处理(b )4 min;(c)20 min;(d)60 min,制造之黄金奈米粒。 图5. 以不同的阴极过电位,在超音波与轻微之搅拌 下,于含有金与氯之错合物的水溶液中制造黄金奈 米粒之紫外光-可见光吸收光谱;(a)阴极过电位为0. 2V;(b)阴极过电位为0.4V;(c)阴极过电位为0.6 V。 图6. Au 4f7/2-5/2XPS光谱图;(a)以ORC粗化黄金基材后含 有金与氯之错合物;(b)以0.2 V的阴极过电位,在超音 波与轻微之搅拌下,于含有金与氯之错合物的水溶 液中制造之黄金奈米粒;(c)ORC程序粗化前之黄金基 材。 图7. 黄金基材于0.1N之氯化钾水溶液中以扫描速率 为500 mV/s之电化学ORC程序粗化时,第100圈之循环伏 安图。 图8. 银基材于0.1N之盐酸水溶液中以扫描速率为5 mV/s之电化学ORC程序粗化时,第30圈之循环伏安图。 图9. 奈米银之TEM图,显示颗粒大小与分散情形。 |
