| 主权项 |
1.一种III族氮化物p型半导体之制造方法,其特征为 在H2气和/或含有NH3气之气氛中使含有p型掺质之III 族氮化物半导体在1,000℃以上之温度使其生长后, 一面降温一面在高于800℃之温度下使H2气及NH3气 加以取代成惰性气体。 2.如申请专利范围第1项之III族氮化物p型半导体之 制造方法,其中由III族氮化物半导体在生长时之温 度降温50℃以上以实施惰性气体之取代。 3.如申请专利范围第1项之III族氮化物p型半导体之 制造方法,其中在900℃以上之温度实施惰性气体之 取代。 4.如申请专利范围第1项之III族氮化物p型半导体之 制造方法,其中III族氮化物半导体在生长时之温度 为1,050℃以上,且惰性气体之取代系在1,000℃以上 。 5.如申请专利范围第1项之III族氮化物p型半导体之 制造方法,其中III族氮化物半导体系AlxInyGa1-x-yN (x = 0 ~ 0.5、y = 0 ~ 0.1)。 6.如申请专利范围第1项之III族氮化物p型半导体之 制造方法,其中III族氮化物p型半导体系作为p型掺 质而含有镁。 7.一种III族氮化物半导体发光元件,其系至少将III 族氮化物半导体之n型半导体层、发光层及p型半 导体层以此顺序设置于基板上,且接于n型半导体 层及p型半导体层而分别设置负极及正极,其特征 为p型半导体层系以如申请专利范围第1至6项中任 一项之制造方法所制造者。 8.一种发光二极体,其系具有如申请专利范围第7项 之III族氮化物半导体发光元件所构成。 9.一种雷射二极体,其系具有如申请专利范围第7项 之III族氮化物半导体发光元件所构成。 图式简单说明: 第1图系展示经使用本发明之III族氮化物p型半导 体之制造方法所制得之III族氮化物半导体发光元 件之示意模式图。 |
