| 主权项 |
1.一种光电装置,系于区分特定之范围的隔壁所包 围之薄膜形成面,形成有薄膜之光电装置,其特征 系 上述隔壁构件,系由表面具有亲液性之第1隔壁;和 层积形成于该第1隔壁上,表面具有排液性之第2隔 壁构成, 上述第1隔壁,系具有不被上述第2隔壁所覆盖的露 出部分, 上述第1隔壁和第2隔壁所包围之范围内,具备功能 薄膜层。 2.如申请专利范围第1项所记载之光电装置,其中, 系于区分特定之范围的隔壁所包围之薄膜形成面, 形成有薄膜之光电装置,其特征系具备 概略平行于上述薄膜形成面,且具有不被上述第2 隔壁所覆盖的平坦面,更且表面具有亲液性之第1 隔壁, 和层积设置于上述第1隔壁上,将上述第1隔壁之平 坦面之露出面积,于上述特定之范围内形成为不同 者,且表面具有排液性之第2隔壁, 和形成于上述第1隔壁与第2隔壁所包围之范围内 的机能薄膜层。 3如申请专利范围第2项所记载之光电装置,其中,上 述第1隔壁所包围之范围系具有角部之形状, 上述角部附近之上述第1隔壁之平坦面的露出面积 ,系较该角部附近以外的部分之上述第1隔壁之平 坦面的露出面积为大。 4.如申请专利范围第3项所记载之光电装置,其中, 上述角部附近之第2隔壁的开口部系圆弧状, 上述角部附近之第2隔壁的倾斜角,系较该角部附 近以外的部分之倾斜角为小。 5.如申请专利范围第2项所记载之光电装置,其中, 上述第1隔壁所包围之薄膜形成面系具有细长形状 , 上述细长形状之长边方向的两端部附近,上述第1 隔壁之平坦面之露出面积;系较该两端部附近以外 的部分,上述第1隔壁之平坦面之露出面积为大。 6.如申请专利范围第5项所记载之光电装置,其中, 上述细长形状之长边方向的两端部附近,上述第2 隔壁的开口部系圆弧状, 上述细长形状之长边方向的两端部附近,上述第2 隔壁之倾斜角,系较该两端部附近以外之部分的倾 斜角为小。 7.如申请专利范围第1项所记载之光电装置,其中, 系于区分特定之范围的隔壁所包围之薄膜形成面, 形成有薄膜之光电装置,其特征系 该隔壁构件,系由具有延长出上述第1隔壁层之一 部分,而未被第2隔壁覆盖之斜面部;且表面具有亲 液性之第1隔壁, 和层积设置于上述第1隔壁上,且表面具有排液性 之第2隔壁所构成, 上述第1隔壁和第2隔壁所包围之范围内,具备功能 薄膜层。 8.如申请专利范围第7项所记载之光电装置,其中: 上述斜面部,系沿着上述区分范围之周端部而设置 者。 9.如申请专利范围第7项所记载之光电装置,其中, 上述区分范围,系形成为平面视角下概略长方形状 ;而上述斜面部,系沿着上述区分范围之短边端而 设置者。 10.如申请专利范围第7项所记载之光电装置,其中, 上述区分范围系形成为平面视角下概略多边形状; 上述斜面部,系对应上述区分范围之平面范围中, 凸出于外侧之顶部而设置者。 11.如申请专利范围第7项至第10项之任一项所记载 之光电装置,其中,系于基板和隔壁构件之间具有 电路层之光电装置, 在平面重叠于上述隔壁构件之位置的该电路层表 面,形成有凸部。 12.如申请专利范围第11项所记载之光电装置,其中, 上述凸部之下层,存在有形成上述电路层之导电构 件。 13.如申请专利范围第1项至第10项之任一项所记载 之光电装置,其中,上述第1隔壁层系以无机材料为 主体,而上述第2隔壁层系以有机材料为主体。 14.如申请专利范围第1项至第10项之任一项所记载 之光电装置,其中,上述功能薄膜系有机电激发光 膜。 15.一种半导体装置,系于区分特定之范围的隔壁所 包围之薄膜形成面,形成有薄膜之半导体装置,其 特征系 上述隔壁构件,系由表面具有亲液性之第1隔壁;和 层积形成于该第1隔壁上,表面具有排液性之第2隔 壁构成, 上述第1隔壁,系具有不被上述第2隔壁所覆盖的露 出部分, 上述第1隔壁和第2隔壁所包围之范围内,具备半导 体薄膜层。 16.一种光电装置用基板,系于区分特定之范围的隔 壁所包围之薄膜形成面,形成有薄膜之光电装置用 基板,其特征系 上述隔壁构件,系由表面具有亲液性之第1隔壁;和 层积形成于该第1隔壁上,表面具有排液性之第2隔 壁构成, 上述第1隔壁,系具有不被上述第2隔壁所覆盖的露 出部分。 17.一种光电装置之制造方法,其特征系包含 将具有露出范围,且表面对薄膜材料液具有亲液性 之第1隔壁,形成于薄膜形成面之第1隔壁形成工程, 和将层积形成于上述第1隔壁上,且表面具有排液 性之第2隔壁,加以形成之第2隔壁形成工程, 和将薄膜材料液,填充于上述第1隔壁以及第2隔壁 所包围的范围中,其后加以乾燥而形成薄膜之薄膜 形成工程。 18.如申请专利范围第17项所记载之光电装置之制 造方法,其中,上述第1、第2之隔壁形成工程中,系 包含 具有概略平行于薄膜形成面之平坦面,且表面具有 亲液性之第1隔壁的形成, 和将层积于上述第1隔壁上,使上述第1隔壁之平坦 面之露出面积,于上述特定之范围内形成为不同者 ,且表面具有排液性之第2隔壁加以形成的第2隔壁 形成工程。 19.如申请专利范围第17项所记载之光电装置之制 造方法,其中,上述第1、第2之隔壁形成工程中,系 包含 具有面临上述区分范围之斜面部,且表面具有亲液 性之第1隔壁的形成, 和将层积于上述第1隔壁上,且表面具有排液性之 第2隔壁加以形成的第2隔壁形成工程。 20.如申请专利范围第17项至第19项之任一项所记载 之光电装置之制造方法,其中,上述薄膜形成工程 中,系形成有有机电激发光膜者。 21.一种半导体装置之制造方法,其特征系包含 将具有露出范围,且表面对薄膜材料液具有亲液性 之第1隔壁,形成于薄膜形成面之第1隔壁形成工程, 和将薄膜材料液,填充于上述第1隔壁以及第2隔壁 所包围之范围中,其后加以乾燥而形成半导体薄膜 之薄膜形成工程, 和将层积形成于上述第1隔壁上,且表面具有排液 性之第2隔壁,加以形成之第2隔壁形成工程。 22.一种光电装置用基板之制造方法,其特征系包含 将具有露出范围,且表面对薄膜材料液具有亲液性 之第1隔壁,形成于薄膜形成面之第1隔壁形成工程, 和将层积形成于上述第1隔壁上,且表面具有排液 性之第2隔壁,加以形成之第2隔壁形成工程, 和将薄膜材料液,填充于上述第1隔壁以及第2隔壁 所包围的范围中,其后加以乾燥而形成薄膜之薄膜 形成工程。 23.一种电子机器,其特征系具备如如申请专利范围 第1项至第14项之任一项所记载之光电装置。 图式简单说明: 【第1图】表示实施例1相关光电装置之配线构造 的俯视图 【第2图】表示第1图之光电装置之像素范围构造 之剖面图 【第3图】模式化表示像素范围中1个像素之俯视 图 【第4图】表示光电装置制程之流程图 【第5A图】表示光电装置制程之剖面图 【第5B图】表示光电装置制程之剖面图 【第5C图】表示光电装置制程之剖面图 【第5D图】表示光电装置制程之剖面图 【第5E图】表示光电装置制程之俯视图 【第5F图】表示光电装置制程之剖面图 【第5G图】表示光电装置制程之俯视图 【第5H图】表示光电装置制程之剖面图 【第5I图】表示光电装置制程之剖面图 【第5J图】表示光电装置制程之剖面图 【第5K图】表示光电装置制程之剖面图 【第5L图】表示光电装置制程之剖面图 【第6图】表示光电装置之像素范围之其他构造例 的俯视图 【第7图】表示凹部形状之一例的剖面图 【第8图】表示凹部形状之一例的剖面图 【第9图】表示光电装置之像素范围之其他构造例 的俯视图 【第10图)第9图线段A-A'之要部剖面图 【第11图】表示实施例2之光电装置之像素范围构 造之剖面图 【第12图】模式化表示像素范围中1个像素之俯视 图 【第13A图】表示光电装置制程之剖面图 【第13B图】表示光电装置制程之俯视图 【第13C图】表示光电装置制程之剖面图 【第13D图】表示光电装置制程之俯视图 【第14图】表示光电装置之像素范围之其他构造 例的俯视图 【第15图】表示光电装置之像素范围之其他构造 例的俯视图 【第16图】表示实施例3相关光电装置之配线构造 的俯视图 【第17A图】表示实施例3相关像素范围之构造的俯 视图 【第17B图】表示实施例3相关像素范围之区分像素 之间之隔壁等的图 【第18图】沿着第17图之X-X线之剖面图 【第19图】沿着第17图之Y-Y线之剖面图 【第20A图】表示像素范围之其他例之俯视图和剖 面图 【第20B图】表示第20A图中Z-Z线之剖面构成图 【第21A图】表示像素范围之其他例之俯视图 【第21B图】表示像素范围之其他例之俯视图 【第22图】表示像素范围之其他例之剖面图 【第23A图】表示光电装置制程之剖面图 【第23B图】表示光电装置制程之剖面图 【第23C图】表示光电装置制程之剖面图 【第23D图】表示光电装置制程之剖面图 【第24A图】表示光电装置制程之剖面图 【第24B图】表示光电装置制程之剖面图 【第24C图】表示光电装置制程之剖面图 【第25图】表示电子机器之一例的图 【第26图】表示电子机器之一例的图 【第27图】表示电子机器之一例的图 【第28图】表示先前之光电装置之像素部之主要 部的图 【第29图】模式化表示先前之光电装置之薄膜形 成过程的图 【第30图】模式化表示先前之光电装置之薄膜形 成过程的图 【第31图】模式化表示先前之光电装置之薄膜形 成过程的图 |
