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1.一种形成用于保护晶圆表面元件之保护盖之方 法,包含有以下步骤: (a)提供一非金属上盖基底,并于该非金属上盖基底 上形成一金属层; (b)于该金属层之一表面形成复数个腔体,且各该腔 体之位置系分别对应该晶圆表面元件;以及 (c)分别于各该腔体中形成一保护盖,并于该等腔体 周围形成复数个接合媒介。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该非金属 上盖基底系为一半导体基底。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该等保护 盖为金属保护盖。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该等接合 媒介为金属接合媒介。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(c)包 含有: 于该金属层上形成一图案化遮罩层,且该图案化遮 罩层暴露出该等腔体及该等腔体周围; 进行至少一第一镀膜制程以于该等腔体及该等腔 体周围形成该等保护盖; 进行至少一第二镀膜制程以于该等腔体及该等腔 体周围形成该等接合媒介;以及 去除该图案化遮罩层。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(c)包 含有: 于该金属层上形成一图案化遮罩层,且该图案化遮 罩层暴露出该等腔体; 进行至少一第一镀膜制程以于该等腔体形成该等 保护盖; 去除该图案化遮罩层; 于该金属层上形成另一图案化遮罩层,且该图案化 遮罩层暴露出等腔体周围; 进行至少一第二镀膜制程以于该等腔体周围形成 该等接合媒介;以及 去除该图案化遮罩层。 7.一种晶圆级封装(wafer level package)方法,包含有以 下步骤: (a)提供一元件基底,且该元件基底之一表面包含有 复数个元件; (b)提供一非金属上盖基底,并于该非金属上盖基底 上形成一金属层; (c)于该金属层之一表面形成复数个腔体,且各该腔 体之位置系分别对应该元件基底之各该元件; (d)以各该腔体为模型,分别于各该腔体内形成一保 护盖; (e)将该金属层之该等腔体对准该元件基底之该等 元件,并将该等保护盖接合于该元件基底上,以使 各该保护盖分别覆盖于各该元件;以及 (f)将该金属层自该等保护盖上移除。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该非金属 上盖基底系为一半导体基底。 9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中于该非金 属上盖基底上形成该金属层系以一电镀制程形成 。 10.如申请专利范围第7项所述之方法,另包含于步 骤(f)前先进行一步骤(e1)将该非金属上盖基底自该 金属层上移除。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中步骤(e1) 系利用一蚀刻制程移除该非金属上盖基底。 12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该非金 属上盖基底与该金属层间更包含一黏着层。 13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(e1) 系利用移除该黏着层所达成。 14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该非金 属上盖基底系为一模具,且该非金属上盖基底上设 有复数个通孔。 15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中步骤(e1) 包含有自该等通孔通入一脱膜剂移除该黏着层。 16.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该等保 护盖系为金属保护盖。 17.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该等元 件系为微机电元件。 18.如申请专利范围第7项所述之方法,其中步骤(d) 更包含有于该等保护盖周围形成接合媒介之步骤 。 19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中步骤(d) 包含有: 于该金属层上形成一图案化遮罩层,且该图案化遮 罩层暴露出该等腔体以及该等腔体周围; 进行至少一第一镀膜制程以于该等腔体以及该等 腔体周围形成复数个保护盖;以及 进行至少一第二镀膜制程以于该等腔体以及该等 腔体周围形成该等接合媒介。 20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该金属 层包含有一第一金属,且该金属保护盖包含有一第 二金属,且该第一金属对该第二金属具有高蚀刻选 择比。 21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中步骤(f) 系利用蚀刻该第一金属所达成。 22.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该第一 金属为铜,且该第二金属为镍。 23.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该等接 合媒介包含有一第三金属层以及一第四金属层互 相叠合。 24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该第三 金属为锡,且该第四金属为金。 25.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该等保 护盖系为透光保护盖。 26.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该等元 件为感光元件。 27.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该元件 基底包含有复数个焊垫设于该元件基底之该表面, 且该等焊垫未为该等保护盖所覆盖。 图式简单说明: 第1至3图显示习知一晶圆级封装之方法。 第4至7图显示本发明一较佳实施例形成保护盖之 方法示意图。 第8至9图显示本发明另一较佳实施例制作保护盖 与接合媒介之方法示意图。 第10至12图为本发明另一较佳实施例之晶圆级封装 之方法示意图。 第13图为本发明另一较佳实施例移除非金属上盖 基底之示意图。 |
