| 主权项 |
1.一种均温装置,设置于一电子装置之壳体内与发 热元件之上或之间,该均温装置至少包含: 一第一高导热层与一第二高导热层;以及 一第一低导热层,其设置于该第一高导热层与该第 二高导热层之间,且该第一低导热层由相对于该第 一高导热层与该第二高导热层具较低热传导系数 之材料或媒介所构成, 藉此,由该发热元件产生之热量以较高热传导速率 平均地分散于该第一高导热层与该第二高导热层, 且以较缓慢热传导速率通过该第一低导热层,俾藉 由热传导速率之非等向性维持该壳体之外壁均温 。 2.如申请专利范围第1项所述之均温装置,其中该第 一高导热层与该第二高导热层系由铜、铝、石墨 或其他具高热传导系数之材料或媒介所构成。 3.如申请专利范围第2项所述之均温装置,其中该第 一高导热层与该第二高导热层为相同或不同之材 料或媒介层。 4.如申请专利范围第1项所述之均温装置,其中该第 一低导热层系由空气、玻璃、泛用塑胶或其他具 低热传导系数之材料或媒介制成。 5.如请专利范围第1项所述之均温装置,更包括一第 二低导热层,该第二低导热层系邻设于该第一高导 热层且相对于该第一低导热层之一侧,或邻设于该 第二高导热层且相对于该第一低导热层之一侧。 6.如申请专利范围第5项所述之均温装置,其中该第 二低导热层系由空气、玻璃、泛用塑胶或其他具 低热传导系数之材料或媒介构成。 7.如申请专利范围第6项所述之均温装置,其中该第 一低导热层与该第二低导热层可为相同或不同之 材料或媒介层。 8.如申请专利范围第7项所述之均温装置,更包括一 第三低导热层,其设置于该第一高导热层、该第一 低导热层、该第二高导热层或该第三高导热层之 内,且邻近于该发热元件之区域,藉以减缓该区域 于垂直方向之热传导速率。 9.如申请专利范围第8项所述之均温装置,其中当该 第三低导热层设置于该第一低导热层或该第二低 导热层内时,构成该第三低导热层之材料或媒介之 热传导系数低于构成该第一与该第二低导热层之 材料或媒介之热传导系数。 10.如申请专利范围第9项所述之均温装置,其中该 第三低导层系由空气构成。 11.如申请专利范围第8项所述之均温装置,其中该 当该第三低导热层设置于该第一高导热层或该第 二高导热层内时,该第三低导热层与该第一低导热 层或第二低导热层为相同或不同之材料或媒介层 。 12.如申请专利范围第11项所述之均温装置,其中该 第三低导热层系由空气、玻璃、泛用塑胶或其他 具低热传导系数之材料或媒介构成。 13.如申请专利范围第1项所述之均温装置,更包括 复数个凸柱,该复数个凸柱设置于该第一低导热层 之内,用以改变部分该第一低导热层于垂直方向之 热传导速率。 14.如申请专利范围第13项所述之均温装置,其中该 复数个凸柱具相同或不同高度。 15.如申请专利范围第13项所述之均温装置,其中该 复数个凸柱系由铜、铝、石墨或其他具高热传导 系数之材料或媒介所构成。 16.如申请专利范围第15项所述之均温装置,其中该 复数个凸柱与该第一高导热层或第二高导热层具 相同或不同之材料或媒介。 17.如申请专利范围第1项所述之均温装置,其中该 第一高导热层具有至少一凹槽区域,该凹槽区域系 容置一第四低导热层,用以减缓垂直方向之热传导 速率。 18.如请专利范围第17项所述之均温装置,其中该第 四低导热层与该第一低导热层为相同或不同之材 料或媒介层。 19.如申请专利范围第17项所述之均温装置,其中该 第一高导热层之部分区域系接触或邻近该发热元 件。 20.如申请专利范围第19项所述之均温装置,其中该 部分区域系为该第一高导热层之一端或凹槽区域 。 图式简单说明: 第一图:其系为一般电源供应器之结构剖面图。 第二图:其系显示本案第一较佳实施例之均温装置 应用于电源供应器之情形。 第三图:其系显示本案第二较佳实施例之均温装置 应用于电源供应器之情形。 第四图:其系显示本案第三较佳实施例之均温装置 应用于电源供应器之情形。 第五图:其系显示本案第四较佳实施例之均温装置 应用于电源供应器之情形。 第六图:其系显示本案第五较佳实施例之均温装置 应用于电源供应器之情形。 第七图:其系显示本案第六较佳实施例之均温装置 应用于电源供应器之情形。 |
