| 主权项 |
1.一种氮化镓系化合物半导体发光元件,系将由氮 化镓系化合物半导体所构成的n型半导体层、发光 层及p型半导体层依此顺序而设置在基板上,且负 极及正极系分别设在n型半导体层及p型半导体层; 其特征为该负极至少具有接于n型半导体层之接触 金属层及接合垫层,该接触金属层系经由溅镀法所 形成之Cr或Cr合金,且该接触金属层之厚度系10-200nm 。 2.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中Cr合金系Cr与功函数为4.5 eV以下之 金属元素之合金。 3.如申请专利范围第2项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中功函数为4.5 eV以下之金属元素系选 自由Al、Ti、Si、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zr、Nb、Mo、Hf 、Ta、W及V所构成之族群中至少一种或数种之金属 元素。 4.如申请专利范围第3项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中功函数为4.5 eV以下之金属元素系选 自由Al、V、Nb、Mo、W及Mn所构成之族群中至少一种 或数种之金属元素。 5.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中Cr合金中Cr之比率为1质量%以上、小 于100质量%。 6.如申请专利范围第5项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中Cr合金中Cr之比率为10质量%以上。 7.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中接合垫层系含有选自由Au、Al、Ni及 Cu所构成之族群中之金属或含有该金属之合金。 8.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中接合垫层之厚度为100-1,000奈米。 9.如申请专利范围第8项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中接合垫层之厚度为200-500奈米。 10.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中在接合垫层上设置由Au-Sn合金所构 成之层或无铅焊锡层。 11.如申请专利范围第10项之氮化镓系化合物半导 体发光元件,其中Au-Sn合金层或无铅焊锡层之厚度 为200奈米以上。 12.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中在接触金属层与接合垫层之间设置 由Ti所构成之接合层。 13.如申请专利范围第12项之氮化镓系半导体发光 元件,其中接合层之厚度为1-100奈米。 14.如申请专利范围第13项之氮化镓系化合物半导 体发光元件,其中接合层之厚度为10奈米以上。 15.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中在接触金属层与接合垫层之间设置 阻障层。 16.如申请专利范围第10项之氮化镓系化合物半导 体发光元件,其中在接合垫层与Au-Sn合金层或无铅 焊锡层之间设置阻障层。 17.如申请专利范围第15或16项之氮化镓系化合物半 导体发光元件,其中阻障层系选自由Ti、Zr、Hf、Ta 、W、Re、Os、Ir、Pt、Fe、Co、Ni、Ru、Rh及Pd所构成 之族群中至少一种或含有该金属之合金。 18.如申请专利范围第17项之氮化镓系化合物半导 体发光元件,其中阻障层系选自由Ti、Ta、W及Pt所 构成之族群中之金属或含有该金属之合金。 19.如申请专利范围第15或16项之氮化镓系化合物半 导体发光元件,其中阻障层之厚度为10-500奈米。 20.如申请专利范围第19项之氮化镓系半导体发光 元件,其中阻障层之厚度为50-300奈米。 21.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中氮化镓系化合物半导体发光元件系 覆晶型。 22.一种氮化镓系化合物半导体发光元件用之负极, 其特征为至少具有接于n型半导体层之接触金属层 及接合垫层,该接触金属层系由溅镀法所形成之Cr 或Cr合金,且该接触金属层之厚度系10-200nm。 23.如申请专利范围第22项之氮化镓系化合物半导 体发光元件用之负极,其中氮化镓系化合物半导体 发光元件系覆晶型。 24.一种氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方 法,其特征为将由氮化镓系化合物半导体所构成的 n型半导体层、发光层和p型半导体层依此顺序而 设置在基板上,且正极系设在该p型半导体层,至少 具有由接合垫层及Cr或Cr合金所构成之接触金属层 之负极系设在该n型半导体层者,且将厚度10-200nm的 该接触金属层经由溅镀法形成在该n型半导体层上 并在未经退火处理下使其作欧姆接触。 25.一种灯,系使用如申请专利范围第1至21项中任一 项之发光元件所构成。 图式简单说明: 第1图系展示以往之覆晶型化合物半导体发光元件 之一般性结构示意图。 第2图系展示本发明之覆晶型氮化镓系化合物之半 导体发光二极体元件之一实例示意图。 |
