| 主权项 |
1.一种电子切换装置,包含: 一第一端子; 一第二端子; 一第三端子;以及 一硫属化物材料,电性连通该第一端子、该第二端 子与该第三端子。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中该第三端子系 为一控制端子,而且控制信号系施加到该控制端子 以调变该第一端子与该第二端子之间该硫属化物 材料的导电率。 3.如申请专利范围第2项之装置,其中该控制信号是 一电压或一电流。 4.如申请专利范围第3项之装置,其中该控制信号系 以电压脉波或电流脉波的形式来提供。 5.如申请专利范围第2项之装置,其中该控制信号系 由一硫属化物材料所提供。 6.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一端子、 该第二端子或该第三端子任何两端子之间的电性 流通发生于该硫属化物材料。 7.如申请专利范围第2项之装置,其中 该硫属化物材料具有一电阻状态与一导电状态,该 硫属化物材料当受到量値超过临界电压的电压时, 会从该电阻状态转换呈该导电状态,在该第一端子 与该第二端子之间,该硫属化物材料具有一第一临 界电压,并且在该控制端子与该第一端子之间具有 一第二临界电压。 8.如申请专利范围第7项之装置,其中该控制信号调 变该第一临界电压。 9.如申请专利范围第8项之装置,其中该第一临界电 压的量値会减少。 10.如申请专利范围第9项之装置,其中该减少至少 是10%。 11.如申请专利范围第9项之装置,其中该减少至少 是25%。 12.如申请专利范围第7项之装置,其中该控制信号 之施加造成该控制端子与该第一端子之间电压差 値超过该第二临界电压的量値。 13.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一端子 、该第二端子与该第三端子包含一导电材料。 14.如申请专利范围第13项之装置,其中该端子的至 少一端子进一步包含一阻障材料。 15.如申请专利范围第13项之装置,其中该端子的至 少一端子进一步包含一硫属化物材料。 16.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一端子 、该第二端子与该第三端子的至少其中一端子系 为场效电极。 17.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一端子 、该第二端子与该第三端子系直接地与该硫属化 物材料电性连通。 18.如申请专利范围第1项之装置,其中该硫属化物 材料包含从硫、硒与碲组成之群组中选出的元件 。 19.如申请专利范围第18项之装置,其中该硫属化物 材料进一步包含锗或锑。 20.如申请专利范围第18项之装置,其中该硫属化物 材料进一步包含砷或矽。 21.如申请专利范围第18项之装置,其中该硫属化物 材料进一步包含从铝、铟、铋、铅、锡、磷与氧 组成群组选出的元件。 22.如申请专利范围第18项之装置,其中该硫属化物 进一步包含一过渡金属。 23.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一端子 、该第二端子与该第三端子并非共平面。 24.如申请专利范围第1项之装置,进一步包含一个 或更多个额外的端子,其系与该硫属化物材料电性 连通。 25.一种电子切换的方法,包含以下步骤: 提供申请专利范围第1项之装置;以及 提供一信号到该第三端子,该信号改变该第一端子 与该第二端子之间该硫属化物材料的导电率。 26.一种电子切换的方法,包含以下步骤: 提供申请专利范围第7项之装置,该装置之该第一 端子与该第二端子之间的该硫属化物材料是在该 导电状态或该电阻状态的其中一状态;以及 提供该控制信号到该控制端子;该控制信号将该第 一端子与该第二端子之间的该硫属化物材料转换 呈该导电状态或该电阻状态中的另一者。 27.一种电子切换装置,包含: 一第一端子; 一第二端子; 一硫属化物材料,电性连通该第一与该第二端子; 以及 一光源,该光源提供一光学控制信号到该硫属化物 材料,该光学控制信号调变在该第一与第二端子之 间该硫属化物材料的临界电压。 28.如申请专利范围第27项之装置,其中该光源系为 雷射。 29.如申请专利范围第27项之装置,其中该光源包含 一光硫属化物材料,该光硫属化物材料提供该光学 控制信号。 30.如申请专利范围第29项之装置,其中该光学硫属 化物材料包含硒。 31.一种电信连通电路,包含一第一元件、一第二元 件以及一互连元件,该互连元件控制该第一与第二 元件之间的电性连通,该互连元件包含申请专利范 围第1项之装置,该第一元件与该第一端子电性连 通,该第二元件与该第二端子电性连通。 32.如申请专利范围第31项之电路,进一步包含一第 三元件,该第三元件与该互连元件的该第三端子电 性连通。 33.如申请专利范围第31项之电路,其中该互连元件 提供一信号给该第一元件或该第二元件的其中一 元件,该信号则当该互连元件的该硫属化物材料从 一电阻状态转换成一导电状态或从一导电状态转 换成一电阻状态的时候产生。 34.一种电子切换装置,包含: 一第一端子; 一第二端子; 一硫属化物材料,电性连通该第一与第二端子, 该硫属化物材料包括晶相部份及非晶相部份;以及 一光源,该光源提供一光学控制信号到该硫属化物 材料,该光学控制信号修改该硫属化物材料之该晶 相部份之体积分率,该晶相修改用以调变在该第一 与第二端子之间该硫属化物的导电率。 图式简单说明: 图1. 展示切换讯息之硫属化物材料的I-V特征。 图2. 根据本发明之一般三端子硫属化物装置的概 要描述。 图3. 根据本发明之三端子硫属化物装置实施例的 概要描述。 图4. 显示于图3之三端子装置的I-V特征。 图5. 当作两电路或网路元件间互连装置之三端子 硫属化物装置的使用。 图6. 当作两电路或网路元件间互连装置之三端子 硫属化物装置的使用。 |
