| 主权项 |
1.一种开口状态的检测方法,该方法包括: 提供一基底; 于该基底上形成一介电层; 在一电浆蚀刻机台中,蚀刻该介电层以形成一开口 ; 于该电浆蚀刻机台中,通入一气体,以于该开口内 形成一高分子层; 进行一浸渍步骤,使该基底与该介电层之界面显现 出来;以及 检测该开口之状态。 2.如申请专利范围第1项所述之开口状态的检测方 法,其中该高分子层之材质与该介电层之材质具有 高蚀刻选择比。 3.如申请专利范围第1项所述之开口状态的检测方 法,其中该气体包括八氟化四碳与一氧化碳。 4.如申请专利范围第1项所述之开口状态的检测方 法,其中该气体包括氢气。 5.如申请专利范围第1项所述之开口状态的检测方 法,其中该高分子层之材质包括氟碳高分子。 6.如申请专利范围第1项所述之开口状态的检测方 法,其中该浸渍步骤包括使用缓冲氧化矽蚀刻液作 为蚀刻剂。 7.如申请专利范围第1项所述之开口状态的检测方 法,其中该开口系选自镶嵌结构开口、欲形成双重 镶嵌结构之镶嵌开口、欲形成金属导线之沟渠开 口与欲形成插塞之介层窗开口、接触窗开口所组 之族群。 8.如申请专利范围第1项所述之开口状态的检测方 法,其中于该基底上形成该介电层之步骤前,更包 括于该基底上形成一材料层。 9.如申请专利范围第8项所述之开口状态的检测方 法,其中在该浸渍步骤中,使该材料层与该介电层 之界面及该基底与该介电层之界面显现出来。 10.一种开口状态的检测方法,该方法适用于一基底 ,该基底上已形成有一介电层,且该介电层已形成 有一开口,该方法包括: 于该开口内形成一保护层,该保护层之材质与该介 电层之材质具有高蚀刻选择比; 进行一浸渍步骤,使该基底与该介电层之界面显现 出来;以及 检测该开口之状态。 11.如申请专利范围第10项所述之开口状态的检测 方法,其中该保护层之材质包括氟碳高分子。 12.如申请专利范围第11项所述之开口状态的检测 方法,其中该保护层之形成方法包括于一电浆蚀刻 机台中,通入一气体,以于该开口内形成该保护层 。 13.如申请专利范围第12项所述之开口状态的检测 方法,其中该气体包括八氟化四碳与一氧化碳。 14.如申请专利范围第12项所述之开口状态的检测 方法,其中该气体包括氢气。 15.如申请专利范围第10项所述之开口状态的检测 方法,其中该保护层之材质包括钨金属。 16.如申请专利范围第15项所述之开口状态的检测 方法,其中该保护层之形成方法包括化学气相沈积 法。 17.如申请专利范围第10项所述之开口状态的检测 方法,其中该浸渍步骤包括使用缓冲氧化矽蚀刻液 作为蚀刻剂。 18.如申请专利范围第10项所述之开口状态的检测 方法,其中在于该基底上形成该介电层之前更包括 于该基底上形成一材料层。 19.如申请专利范围第18项所述之开口状态的检测 方法,其中在该浸渍步骤中,使该材料层与该介电 层之界面及该基底与该介电层之界面显现出来。 20.如申请专利范围第10项所述之开口状态的检测 方法,其中该开口系选自镶嵌结构开口、欲形成双 重镶嵌结构之镶嵌开口、欲形成金属导线之沟渠 开口与欲形成插塞之介层窗开口、接触窗开口所 组之族群。 图式简单说明: 第1图为绘示接触窗开口结构的放大剖面图。 第2A图至第2D图为绘示依照本发明一较佳实施例之 开口的检测方法的制程放大剖面图。 第3A图至第3C图为分别绘示未浸渍缓冲氧化矽蚀刻 液、浸渍缓冲氧化矽蚀刻液、形成保护层后并浸 渍缓冲氧化矽蚀刻液之开口的扫瞄式电子显微镜 照相图。 |
