| 主权项 |
1.一种垂直型发光二极体,至少包括: 一发光磊晶结构,具有相对之一第一表面以及一第 二表面; 一第一电性电极,位于该发光磊晶结构之该第一表 面上; 一局部移除之蓝宝石基板,位于该发光磊晶结构之 该第二表面之一第一部分上,并暴露出该发光磊晶 结构之该第二表面之一第二部分;以及 一第二电性电极,位于该发光磊晶结构之该第二表 面之该第二部分上,其中该第一电性电极与该第二 电性电极之电性相反。 2.如申请专利范围第1项所述之垂直型发光二极体, 其中该垂直型发光二极体系一氮化镓系发光二极 体。 3.如申请专利范围第1项所述之垂直型发光二极体, 其中该局部移除之蓝宝石基板系一局部雷射剥离 之蓝宝石基板。 4.如申请专利范围第1项所述之垂直型发光二极体, 其中该第一电性电极系一金属电极。 5.如申请专利范围第4项所述之垂直型发光二极体, 其中该金属电极之材质为高反射率金属。 6.如申请专利范围第1项所述之垂直型发光二极体, 其中该第二电性电极系一金属电极。 7.如申请专利范围第6项所述之垂直型发光二极体, 其中该金属电极之材质为高反射率金属。 8.如申请专利范围第1项所述之垂直型发光二极体, 其中该第一电性电极为P型,且该第二电性电极为N 型。 9.如申请专利范围第1项所述之垂直型发光二极体, 其中该第一电性电极为N型,且该第二电性电极为P 型。 10.一种垂直型发光二极体之制造方法,至少包括: 提供一蓝宝石基板; 形成一发光磊晶结构于该蓝宝石基板上; 形成一第一电性电极于该发光磊晶结构之一表面 上; 进行一局部移除步骤,以将部分之该蓝宝石基板从 该发光磊晶结构之另一表面上移除,而暴露出该发 光磊晶结构之该另一表面之一部分,其中该发光磊 晶结构之该另一表面与该表面相对;以及 形成一第二电性电极于该发光磊晶结构之该另一 表面之暴露部分上,其中该第一电性电极与该第二 电性电极之电性相反。 11.如申请专利范围第10项所述之垂直型发光二极 体之制造方法,其中该垂直型发光二极体系一氮化 镓系发光二极体。 12.如申请专利范围第10项所述之垂直型发光二极 体之制造方法,其中该局部移除步骤至少包括利用 一雷射切割技术以及一雷射剥离技术。 13.如申请专利范围第10项所述之垂直型发光二极 体之制造方法,其中该第一电性电极系一金属电极 。 14.如申请专利范围第13项所述之垂直型发光二极 体之制造方法,其中该第一电性电极之材质为高反 射率金属。 15.如申请专利范围第10项所述之垂直型发光二极 体之制造方法,其中该第二电性电极系一金属电极 。 16.如申请专利范围第15项所述之垂直型发光二极 体之制造方法,其中该第二电性电极之材质为高反 射率金属。 17.一种垂直型发光二极体之制造方法,至少包括: 提供一蓝宝石基板,其中该蓝宝石基板预设有复数 个切割线; 形成一发光磊晶结构于该蓝宝石基板上; 形成一第一电性电极层于该发光磊晶结构之一表 面上; 沿着该些切割线进行一第一切割步骤,以将该蓝宝 石基板、该发光磊晶结构以及该第一电性电极层 所构成之一发光二极体晶圆分割成复数个发光二 极体晶粒; 进行一局部移除步骤,以从该发光磊晶结构之另一 表面上移除部分之该蓝宝石基板,而暴露出每一该 些发光二极体晶粒中该发光磊晶结构之该另一表 面之一部分,其中该发光磊晶结构之该另一表面与 该表面相对;以及 形成一第二电性电极层于每一该些发光二极体晶 粒中该发光磊晶结构之该另一表面之暴露部分上, 其中该第一电性电极层与该第二电性电极层之电 性相反。 18.如申请专利范围第17项所述之垂直型发光二极 体之制造方法,其中该些发光二极体晶粒系复数个 氮化镓系发光二极体晶粒。 19.如申请专利范围第17项所述之垂直型发光二极 体之制造方法,其中该第一切割步骤至少包括利用 一雷射切割技术。 20.如申请专利范围第17项所述之垂直型发光二极 体之制造方法,其中该局部移除步骤至少包括: 进行一第二切割步骤,藉以切割出该蓝宝石基板之 该部分;以及 进行一剥离步骤,藉以将该蓝宝石基板之该部分剥 离该发光磊晶结构之该另一表面。 21.如申请专利范围第20项所述之垂直型发光二极 体之制造方法,其中该第二切割步骤至少包括利用 一雷射切割技术。 22.如申请专利范围第20项所述之垂直型发光二极 体之制造方法,其中该剥离步骤至少包括利用一雷 射剥离技术。 23.如申请专利范围第17项所述之垂直型发光二极 体之制造方法,其中该第一电性电极层系一金属电 极层。 24.如申请专利范围第21项所述之垂直型发光二极 体之制造方法,其中该第一电性电极层之材质为高 反射率金属。 25.如申请专利范围第17项所述之垂直型发光二极 体之制造方法,其中该第二电性电极层系一金属电 极层。 26.如申请专利范围第23项所述之垂直型发光二极 体之制造方法,其中该第二电性电极层之材质为高 反射率金属。 图式简单说明: 第1a图至第1d图是系绘示传统垂直型发光二极体之 制程剖面图。 第2a图至第2e图系绘示依照本发明一较佳实施例的 一种垂直型发光二极体之制程剖面图。 |
