| 主权项 |
1.一种氮化镓系化合物半导体发光元件,其特征为 其系在基板上将由氮化镓系化合物半导体所构成 之n型半导体层、发光层及p型半导体层依此顺序 积层所构成,且负极及正极系分别接于n型半导体 层及p型半导体层所设置者,且 该正极系具有由至少设置与p型半导体层相接之接 触金属层,再在该接触金属层上设置导电率为大于 接触金属层者之电流扩散层,并且又在该电流扩散 层上设置接合垫层之三层结构所构成之透光性电 极,且 在该p型半导体层之正极侧表面包含含有用以形成 接触金属层的金属之正极金属混杂层。 2.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中该正极金属混杂层之厚度为0.1-10nm 。 3.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中在该正极金属混杂层中用以形成接 触金属层之金属之浓度为相对于该正极金属混杂 层中全金属为0.01-30原子%。 4.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中在该接触金属层之p型半导体层侧 表面设置含有III族金属之半导体金属混杂层。 5.如申请专利范围第4项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中该半导体金属混杂层之厚度为0.1-2. 5 nm。 6.如申请专利范围第4项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中在该半导体金属混杂层之III族金属 之浓度为相对于该半导体金属混杂层中全金属为0 .1-50原子%。 7.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中该接触金属层为白金族金属或Ag。 8.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中该接触金属层为白金。 9.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中该接触金属层之厚度为0.1-7.5nm。 10.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中该接触金属层之厚度为5nm以下。 11.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中该接触金属层之厚度为0.5-2.5nm。 12.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中该电流扩散层为选自由金、银及铜 所构成之族群中之金属或含有该等金属中至少一 种之合金。 13.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中该电流扩散层为金。 14.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中该电流扩散层之厚度为1-20nm。 15.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中该电流扩散层之厚度为10nm以下。 16.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中该电流扩散层之厚度为3-6nm。 17.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中该接合垫层系由共晶焊锡合金材料 所构成。 18.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中该接合垫层为由Au、Sn、或含有Au与 Sn之3元系焊锡合金所构成。 图式简单说明: 第1图系展示本发明氮化镓系化合物半导体发光元 件之剖面结构模式图。 第2图系展示实施例之氮化镓系化合物半导体发光 元件之剖面结构模式图 第3图系展示实施例之氮化镓系化合物半导体发光 元件之俯视模式图。 第4图系展示本发明氮化镓系化合物半导体发光元 件之p型半导体层与接触金属层之接合面附近扩大 图。 第5图系本发明氮化镓系化合物半导体发光元件之 接触金属层剖面TEM的EDS分析图表之一实例。 第6图系本发明氮化镓系化合物半导体发光元件之 p型半导体层剖面TEM的EDS分析图表之一实例。 |
