| 主权项 |
1.一种仅写一次型记录媒体,包含: 一资料区域,其中记录记录资料; 一控制资讯记录区域,其中记录用于控制该资料区 域中之记录及/或读取操作之资讯,该控制资讯记 录区域包括一确定缺陷管理区域,其中记录该资料 区域之缺陷管理资讯;及 一暂时缺陷管理区域,其中暂时地记录该资料区域 之缺陷管理资讯,该暂时缺陷管理区域系配置于该 控制资讯记录区域与该资料区域之间。 2.如申请专利范围第1项之仅写一次型记录媒体,其 中,该暂时缺陷管理区域系为一第一暂时缺陷管理 区域,配置于(i)该资料区域之内围侧所配置之该控 制资讯记录区域与(ii)该资料区域之间。 3.如申请专利范围第1项之仅写一次型记录媒体,其 中,该暂时缺陷管理区域系为一第二暂时缺陷管理 区域,配置于(i)该资料区域之外围侧所配置之该控 制资讯记录区域与(ii)该资料区域之间。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项之仅写一次型 记录媒体,其中,该暂时缺陷管理区域之大小系足 以在其中重复记录复数次的该资料区域之缺陷管 理资讯。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项之仅写一次型 记录媒体,其中,该资料区域包括一备用区域,用于 从一缺陷指之离记录资料。 6.一种记录装置,用于将记录资料记录到一仅写一 次型记录媒体上,该仅写一次型记录媒体包含:(i) 一资料区域,其中记录记录资料;(ii)一控制资讯记 录区域,其中记录用于控制该资料区域中之记录及 /或读取操作之资讯,该控制资讯记录区域包括一 确定缺陷管理区域,其中记录该资料区域之缺陷管 理资讯;及(iii)一暂时缺陷管理区域,其中暂时地记 录该资料区域之缺陷管理资讯,该暂时缺陷管理区 域系配置于该控制资讯记录区域与该资料区域之 间, 该记录装置包含: 一第一记录装置,用于将记录资料记录到该资料区 域中; 一记忆体装置,用于在其中储存缺陷管理资讯; 一第二记录装置,用于将该记忆体装置中所储存的 缺陷管理资讯记录到该暂时缺陷管理区域中;及 一第三记录装置,用于将该记忆体装置中所储存之 缺陷管理资讯记录到该确定缺陷管理区域中。 7.如申请专利范围第6项之记录装置,其中,缺陷管 理资讯包括: 定义资讯,用于指示该资料区域之位置;及 一缺陷列表,包括(i)缺陷位置资讯,用于指示该资 料区域中一缺陷位置,及(ii)备用区域位置资讯,用 于指示缺陷位置处之欲记录之记录资料的替代记 录之一备用区域位置。 8.如申请专利范围第6或7项之记录装置,其又包含: 一第一缺陷管理资讯产生装置,用于对尚未记录有 记录资料之该仅写一次型记录媒体产生缺陷管理 资讯,并将所产生的缺陷管理资讯储存到该记忆体 装置中;及 一第一记录控制装置,当该第一缺陷管理资讯产生 装置产生缺陷管理资讯时,用于控制该第二记录装 置,以将缺陷管理资讯记录到该暂时缺陷管理区域 中。 9.如申请专利范围第6或7项之记录装置,其又包含: 一第二缺陷管理资讯产生装置,当该第一记录装置 将记录资料记录到该资料区域中时,用于产生或更 新缺陷管理资讯,并将所产生或更新之缺陷管理资 讯储存到该记忆体装置中;及 一第二记录控制装置,当该第二缺陷管理资讯产生 装置产生或更新缺陷管理资讯时,用于控制该第二 记录装置,以将缺陷管理资讯记录到该暂时缺陷管 理区域中。 10.如申请专利范围第9项之记录装置,其又包含: 一缺陷管理资讯取得装置,用于从该暂时缺陷管理 区域中记录有缺陷管理资讯之该仅写一次型记录 媒体上的该暂时缺陷管理区域读取缺陷管理资讯, 并将所读取之缺陷管理资讯储存到该记忆体装置 中, 其中, 当该第一记录装置将记录资料记录到该资料区域 中时,该第二缺陷管理资讯产生装置更新缺陷管理 资讯,其系由该缺陷管理资讯取得装置储存到该记 忆体装置中;及 当缺陷管理资讯更新时,该第二记录控制装置将缺 陷管理资讯记录到该暂时缺陷管理区域中。 11.如申请专利范围第8项之记录装置,其中,该第一 或第二缺陷管理资讯产生装置包含: 一缺陷侦测装置,用于侦测该资料区域中的一缺陷 ;及 一备用区域保留装置,用于保留对应于该资料区域 中之缺陷的一备用区域。 12.如申请专利范围第6或7项之记录装置,其又包含: 一最终化命令装置,用于发出一命令,以指示最终 化该仅写一次型记录媒体;及 一第三记录控制装置,当该最终化命令装置发出指 示最终化之命令时,用于控制该第三记录装置,以 将该记忆体装置中所储存的缺陷管理资讯记录到 该确定缺陷管理区域中。 13.如申请专利范围第12项之记录装置,其中,该最终 化命令装置系响应于一退出命令而发出指示最终 化之命令。 14.如申请专利范围第6或7项之记录装置,其中,该第 二记录装置重复复数次将缺陷管理资讯记录到该 暂时缺陷管理区域中。 15.如申请专利范围第6或7项之记录装置,其中,该第 三记录装置重复复数次将缺陷管理资讯记录到该 确定缺陷管理区域中。 16.如申请专利范围第6或7项之记录装置,其中,该第 二记录装置重复地将缺陷管理资讯记录到该仅写 一次型记录媒体上之复数个点所存在的复数个暂 时缺陷管理区域中。 17.如申请专利范围第6或7项之记录装置,其中,该第 三记录装置重复地将缺陷管理资讯记录到该仅写 一次型记录媒体上之复数个点所存在的复数个确 定缺陷管理区域中。 18.如申请专利范围第6或7项之记录装置,其又包含 一区域设定装置,用于设定该暂时缺陷管理区域之 区域大小,并根据该暂时缺陷管理区域之设定区域 大小而设定该资料区域之位置。 19.一种再生装置,用于再生一仅写一次型记录媒体 上所记录之记录资料,该仅写一次型记录媒体包含 :(i)一资料区域,其中记录记录资料;(ii)一控制资讯 记录区域,其中记录用于控制该资料区域中之记录 及/或读取操作之资讯,该控制资讯记录区域包括 一确定缺陷管理区域,其中记录该资料区域之缺陷 管理资讯;及(iii)一暂时缺陷管理区域,其中暂时地 记录该资料区域之缺陷管理资讯,该暂时缺陷管理 区域系配置于该控制资讯记录区域与该资料区域 之间, 该再生装置包含: 一记忆体装置; 一第一读取装置,用于读取该暂时缺陷管理区域中 所记录的缺陷管理资讯,并将所读取之缺陷管理资 讯储存到该记忆体装置中;及 一再生装置,用于依据该记忆体装置中所储存的缺 陷管理资讯而再生该资料区域中所记录的记录资 料。 20.如申请专利范围第19项之再生装置,其中,缺陷管 理资讯包括: 定义资讯,用于指示该资料区域之位置;及 一缺陷列表,包括(i)缺陷位置资讯,用于指示该资 料区域中一缺陷位置,及(ii)备用区域位置资讯,用 于指示缺陷位置处之欲记录之记录资料的替代记 录之一备用区域位置。 21.如申请专利范围第19或20项之再生装置,其又包 含: 一最终化侦测装置,用于侦测该仅写一次型记录媒 体是否已最终化; 一第二读取装置,用于读取该确定缺陷管理区域中 所记录的缺陷管理资讯,并将所读取之缺陷管理资 讯储存到该记忆体装置中;及 一读取控制装置,依据藉由该最终化侦测装置之侦 测结果,用于(i)当侦测到该仅写一次型记录媒体已 最终化时,控制该第二读取装置,以读取该确定缺 陷管理区域中所记录的缺陷管理资讯,并将所读取 之缺陷管理资讯储存到该记忆体装置中,及(ii)当 侦测到该仅写一次型记录媒体尚未最终化时,控制 该第一读取装置,以读取该暂时缺陷管理区域中所 记录的缺陷管理资讯,并将所读取之缺陷管理资讯 储存到该记忆体装置中。 22.一种记录有电脑程式之电脑可读取之记录媒体, 其指令可用于实际地具体实现一电脑可执行指令 之程式,使电脑之运作可如同申请专利范围第6或7 项之记录装置。 23.一种记录有电脑程式之电脑可读取之记录媒体, 其指令可用于实际地具体实现一电脑可执行指令 之程式,使电脑之运作可如同申请专利范围第19或 20项之再生装置。 24.一种记录方法,用于将记录资料记录到一仅写一 次型记录媒体上,该仅写一次型记录媒体包含:(i) 一资料区域,其中记录记录资料;(ii)一控制资讯记 录区域,其中记录用于控制该资料区域中之记录及 /或读取操作之资讯,该控制资讯记录区域包括一 确定缺陷管理区域,其中记录该资料区域之缺陷管 理资讯;及(iii)一暂时缺陷管理区域,其中暂时地记 录该资料区域之缺陷管理资讯,该暂时缺陷管理区 域系配置于该控制资讯记录区域与该资料区域之 间, 该记录方法包含: 一第一记录步骤,将记录资料记录到该资料区域中 ; 一缺陷管理资讯产生步骤,产生或更新缺陷管理资 讯; 一第二记录步骤,将该缺陷管理资讯产生步骤中所 产生或更新之缺陷管理资讯记录到该暂时缺陷管 理区域中; 一最终化命令步骤,发出一命令,用于指示最终化 该记录媒体;及 一第三记录步骤,若该最终化命令步骤发出用于指 示最终化之命令,将该缺陷管理资讯产生步骤中所 产生或更新之缺陷管理资讯记录到该确定缺陷管 理区域中。 25.一种再生方法,用于再生一仅写一次型记录媒体 上所记录之记录资料,该仅写一次型记录媒体包含 :(i)一资料区域,其中记录记录资料;(ii)一控制资讯 记录区域其中记录用于控制该资料区域中之记录 及/或读取操作之资讯,该控制资讯记录区域包括 一确定缺陷管理区域,其中记录该资料区域之缺陷 管理资讯;及(iii)一暂时缺陷管理区域,其中暂时地 记录该资料区域之缺陷管理资讯,该暂时缺陷管理 区域系配置于该控制资讯记录区域与该资料区域 之间, 该再生方法包含: 一侦测步骤,侦测该记录媒体是否已最终化; 一第一读取步骤,若侦测到该仅写一次型记录媒体 尚未最终化,读取该暂时缺陷管理区域中所记录的 缺陷管理资讯,并将所读取之缺陷管理资讯储存到 该记忆体装置中; 一第二读取步骤,若侦测到该仅写一次型记录媒体 已最终化,读取该确定缺陷管理区域中所记录的缺 陷管理资讯,并将所读取之缺陷管理资讯储存到该 记忆体装置中;及 一再生步骤,依据该记忆体装置中所储存的缺陷管 理资讯,而再生该资料区域中所记录的记录资料。 图式简单说明: 图1系为本发明仅写一次型记录媒体之一具体例的 说明图; 图2系为本发明记录装置之第一具体例的方块图; 图3系为本发明记录装置之第二具体例的方块图; 图4系为本发明记录装置之第三具体例的方块图; 图5系为本发明记录装置之第四具体例的方块图; 图6系为本发明记录装置之第五具体例的方块图; 图7系为本发明再生装置之第一具体例的方块图; 图8系为本发明再生装置之第二具体例的方块图; 图9系为本发明仅写一次型记录媒体之一实施例的 说明图; 图10系为实施例中缺陷管理资讯之内容的说明图; 图11系为实施例中之缺陷列表之一实施例的说明 图; 图12系为实施例中暂时缺陷管理区域之记录内容 之一实施例的说明图; 图13系为实施例中确定缺陷管理区域之记录内容 之一实施例的说明图; 图14系为一记录/再生装置之方块图,其系为本发明 记录与再生装置之一实施例; 图15系为实施例中记录/再生装置之光碟机的方块 图; 图16系为实施例中记录/再生装置之后段装置的方 块图; 图17系为实施例中记录/再生装置之初始设定操作 的流程图; 图18系为实施例中包括记录/再生装置之一记录操 作之操作流程图; 图19系为实施例中记录/再生装置之最终化操作的 流程图; 图20系为实施例中记录/再生装置之退出操作的流 程图; 图21系为实施例中记录/再生装置之再生操作的流 程图;及 图22系为本发明仅写一次型记录媒体之另一实施 例之说明图。 |
