发明名称 具有可以吸附加工残渣的表面之基材加工腔室元件
摘要 一种加工腔室元件具有一构造及一表面,以于一基材在激发气体中加工期间,供加工残渣吸附于该表面上,以降低该基材的污染。于其中一种实例是具有第一及第二螺旋凹槽的构造,其可相反设置。另一种实例中,该元件表面包含数径向间隔同心的凹槽及电子束纹理凹部形成于其间。于另一种实例中,该表面具有滚花脊部及沟部。
申请公布号 TWM293527 申请公布日期 2006.07.01
申请号 TW094210676 申请日期 2005.06.24
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 蔡 肯尼斯;木拉吉斯 雷克斯曼;威斯特;王虹;李茂诚;迪塞 阿柏希杰特
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种能曝露于基材加工腔室内的激发气体中之 元件,该元件包括: (a)一元件构造,具有一表面,其包含有相反设置之 第一及第二螺旋凹槽, 藉此于一基材在该基材加工腔室内的激发气体中 加工期间,加工残渣可吸附于该元件构造的表面上 的该等螺旋凹槽,藉以降低该基材受加工残渣的污 染。 2.如申请专利范围第1项之元件,其中该等第一及第 二螺旋凹槽包含有以下至少一种特性: (1)螺旋角度为至少约45; (2)深度为至少约0.25mm; (3)深度不多于约1.5mm;或 (4)圆形边缘。 3.如申请专利范围第1项之元件,其中该等第一及第 二螺旋凹槽具有以下至少其一: (1)一第一间距于该表面的一第一区域中,及一第二 间距于该表面的一第二区域中;或 (2)一第一深度于该表面的一第一区域中,及一第二 深度于该表面的一第二区域中。 4.如申请专利范围第1项之元件,其中该表面进一步 包含有以下至少其一: (1)环形凹槽,其为同心且相互轴向或径向间隔横过 该表面; (2)一粗糙区域,其具有平均表面粗糙度为自约1.6微 米至约12.5微米;或 (3)非凹槽部于该等第一与第二螺旋凹槽之间,其为 实质上连续的段部,该等非凹槽部具有小于约0.1cm 的尺寸。 5.如申请专利范围第1项之元件,包括至少一部分的 基材支撑件、腔室围绕壁、加工套件、挡板、气 体激发部、气体供应部及排气部。 6.一种基材加工腔室,包括如申请专利范围第1项之 该元件,该腔室包括一基材支撑件、一气体激发部 、一气体供应部,及一排气部。 7.一种能曝露于基材加工腔室内的激发气体中之 腔室元件,该元件包括: (a)一元件构造,具有一纹理表面,其包含有: (i)一第一纹理图案区域,具有第一纹理特征,其相 互间隔且各具有第一深度及第一密度,及 (ii)一第二纹理图案区域,具有第二纹理特征,其相 互间隔且各具有第二深度及第二密度, 其中第二深度及第二密度至少其一是不同于第一 深度及第一密度, 藉此于一基材加工期间加工残渣可吸附于该表面, 以降低该基材之污染。 8.如申请专利范围第7项之元件,其中该等第一纹理 特征包含一第一螺旋凹槽,其具有螺旋臂,具第一 深度或间距,及其中该等第二纹理特征包含一第二 螺旋凹槽,其具有第二深度或间距。 9.如申请专利范围第8项之元件,其中该等第一或第 二螺旋凹槽各包含有螺旋臂,其以连续地变化其深 度,其是自该第一区域上为至少约0.8 mm,至该第二 区域上的第二深度为少于约0.6mm,且以连续地变化 其间距,其是自该第一区域上的第一间距为少于约 1.5mm,至该第二区域上的第二间距为至少约1.8mm。 10.如申请专利范围第8项之元件,其中第一及第二 螺旋凹槽彼此相对。 11.一种基材加工腔室,包括如申请专利范围第7项 之该元件,该腔室包括一基材支撑件、一气体激发 部、一气体供应部,及一排气部。 12.一种能曝露于一加工腔室内的激发气体中之基 材加工腔室元件,该元件包括: (a)一元件构造;及 (b)于该元件构造上之一表面,该表面包括(i)数同心 凹槽,其是横过该表面径向间隔,及(ii)电子束纹理 凹部,其形成于该表面上相邻凹槽之间, 藉此加工残渣可吸附于该表面以降低加工基材之 污染。 13.如申请专利范围第12项之元件,其中相邻同心凹 槽相互分离一距离,其为相邻电子束纹理凹部之间 的距离之至少两倍。 14.如申请专利范围第13项之元件,其中相邻同心凹 槽之间的距离是自约5mm至约7mm,且该等凹槽之间相 邻电子束纹理凹部之间的距离是自1mm至约3mm。 15.如申请专利范围第13项之元件,其中该表面上该 等同心凹槽的深度是自约3mm至约8mm,且该表面上该 等电子束纹理凹部的深度是自约25微米至约1524微 米。 16.如申请专利范围第12项之元件,包括相邻凹槽之 间的表面区域,其具有凹陷表面外廓。 17.如申请专利范围第12项之元件,该元件包括至少 一部分的基材支撑件、腔室围绕壁、气体供应部 、气体激发部,及排气部。 18.一种基材加工腔室,包括如申请专利范围第16项 之该元件,该腔室包括一基材支撑件、一加工气体 供应部、一气体激发部,及一排气部。 19.一种基材固持夹,用于一基材加工腔室,该固持 夹包括: (a)一环,包括一环部,其环绕于该腔室内的一基材, 及一凸伸部以覆盖该基材的环周;及 (b)于该凸伸部上之一滚花曝露表面,该滚花曝露表 面包括相间隔的滚花脊部及沟部。 20.如申请专利范围第19项之固持夹,其中该滚花曝 露表面是该凸伸部之一表面,且包括同心脊部及沟 部,其相互径向间隔。 21.如申请专利范围第19项之固持夹,其中该等脊部 及沟部各具有由一中心线之幅度,其是至少约0.5mm 且少于约2.5mm。 22.如申请专利范围第19项之固持夹,其中相邻脊部 具有峰对峰距离为至少约0.5mm且少于约2.5mm。 23.如申请专利范围第19项之固持夹,其中该等滚花 脊部及沟部是以环周地相互间隔。 24.如申请专利范围第19项之固持夹,其中该环是由 不锈钢、钛、铜或铝至少一种所构成。 25.一种基材固持夹,用于一加工腔室,该固持夹包 括: (a)一环,包括一环部,其环绕于该腔室内的一基材, 及一凸伸部,其自该环部向内延伸以覆盖该基材的 环周,其中该环包括(i)一顶面,其延伸横跨该凸伸 部及环部,及(ii)该环部之一外侧面;及 (b)于该顶面及外侧面上之一滚花曝露表面,该滚花 曝露表面包括同心且径向相间隔之滚花脊部及沟 部,其中该等滚花脊部及沟部具有由一中心线之幅 度为至少约0.5mm且少于约2.5mm,且其中相邻滚花脊 部具有峰对峰距离为至少约0.5mm且少于约2.5mm。 26.如申请专利范围第25项之固持夹,其中该外侧面 是实质上垂直于该顶面。 27.如申请专利范围第25项之固持夹,其中该环部包 括第一及第二向下延伸的环壁。 28.如申请专利范围第25项之固持夹,其中该第一壁 是相邻于该基材的环周,且该第二壁是呈同心地于 该第一壁外侧。 图式简单说明: 第1图是加工腔室具有特定纹理表面的元件的一实 施例之部分剖面侧视图; 第2A图是腔室挡板具有形成有相对螺旋凹槽的表 面的实施例之部分剖面侧视图; 第2B图是环形腔室元件具有形成有相对螺旋凹槽 的表面的实施例之部分剖面侧视图; 第2C图是腔室挡板具有第一及第二表面纹理图案 的实施例之部分剖面侧视图; 第3图是腔室元件具有已藉切割刀片形成有凹槽的 实施例之部分剖面侧视图; 第4图是具凹槽腔室元件包含圆形边缘的实施例之 部分剖面侧视图; 第5A图是具有滚花表面的固持夹的实施例之顶视 图; 第5B图是具有滚花表面的固持夹的实施例之剖面 侧视图; 第6A图是具有坚硬边缘的滚花工具的实施例之平 面图; 第6B图是第6A图的滚花工具的坚硬边缘的实施例之 剖面侧视图; 第7图是元件具有以数电子束纹理凹部设于同心凹 槽之间的纹理表面的实施例之剖面侧视图;及 第8图是形成于元件的表面中的电子束纹理凹部的 实施例之剖面侧视图。
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