| 主权项 |
1.一种中间基板,其包含: 一中间基板体,包含一绝缘材料,并具有一第一面 及第二面,其中该第一面为一半导体元件支撑,该 第二面与该第一面相对而立;及 一半导体元件支撑区,包含设于该第一面上之复数 个第一面端,并为该复数个第一面端之一最外围所 环绕, 其中该半导体元件支撑区的一中心与该第一面之 一中心不同心。 2.如申请专利范围第1项之中间基板,其中该半导体 元件支撑区之该中心位于一通过该第一面之该中 心、且与界定该第一面之侧边之至少一者平行的 线上,并与该第一面之一中心相隔。 3.如申请专利范围第2项之中间基板,其中位于该半 导体元件支撑区周围、且形成于四侧边间以形成 该半导体元件及形成于对应四侧边而形成该第一 面之四个平面的宽度中一用以加入一树脂填充剂 以填充于一被支撑之半导体元件及该中间基板体 间之平面的宽度大于与该平面对立及相邻之其它 三平面的宽度。 4.如申请专利范围第1项之中间基板,其中复数个第 二面端设于该第二面上而使该第二面端的部份及 与该第二面端互相导电之该第一面端的部份在一 垂直于该中间基板体一厚度方向垂直之方向上相 隔。 5.如申请专利范围第4项所述之中间基板,其中该被 形成于该第二面端之第二面焊块的量多于被形成 于该第一面端之第一面焊块的量。 6.如申请专利范围第1项所述之中间基板,其中该中 间基板体之热膨胀系数为介于该半导体元件及该 基板之热膨胀系数间的一中间値。 7.如申请专利范围第1项所述之中间基板,其中该中 间基板体之热膨胀系数介于2.0至8.0ppm/℃之间。 8.如申请专利范围第1项所述之中间基板,其中该中 间基板体包含一无机材料。 9.如申请专利范围第1项所述之中间基板,其中该中 间基板体包含陶瓷材料。 10.如申请专利范围第1项所述之中间基板,其中该 第一面端之直径为12mm或较小。 11.如申请专利范围第1项所述之中间基板,其中该 第一面端之相邻者间的中心距离为250微米或较小 。 12.如申请专利范围第1项所述之中间基板,其中该 中间基板体之厚度介于0.1至0.7mm之间。 13.如申请专利范围第1项所述之中间基板,其中该 中间基板体的弯曲弹性模数为200MPa或较小。 14.一种中间基板,其包含: 一中间基板体,包含一绝缘材料,并具有一第一面 及第二面,其中该第一面为一半导体元件支撑;及 一半导体元件支撑区,包含设于该第一面上之复数 个第一面端, 其中位于该半导体元件支撑区周围、且形成于四 侧边间以形成该半导体元件及形成于对应四侧边 而形成该第一面之四个平面的宽度中一用以加入 一树脂填充剂以填充于一被支撑之半导体元件及 该中间基板体间之平面的宽度大于与该平面对立 及相邻之其它三平面的宽度。 15.一种具有一半导体元件之中间基板,其包含一半 导体元件,该半导体元件包含申请专利范围第1项 之中间基板及面连接端, 其中该中间基板包含: 一实质上为板状之中间基板体,包含一绝缘材料, 并具有一第一面及一第二面,其中该第一面为该半 导体元件支撑;及 复数个第一面端,设于该第一面之一侧边上;复数 个第二面端,设于该第二面之一侧边上;及导体架 构,设于该中间基板体中,用以使该等第一面端及 该等第二面端彼此间可互相导电, 该半导体元件及该中间基板体之间以一树脂填充 剂填充, 垂直于该半导体元件之一厚度方向之各侧边中二 相对侧边的长度各实质上等于或差距小于4mm或小 于垂直于该中间基板体之一厚度方向之侧边中二 对应于该半导体元件之该相对二侧边之二侧边的 长度;且 垂直于该半导体元件之一厚度方向之各侧边中二 相对侧边的长度皆大于垂直于该中间基板体之一 厚度方向之各侧边中二对应于该半导体元件之该 另二相对侧边之二侧边的长度,或较后者长度短4mm 。 16.一种具有一中间基板之基板,其包含一包含申请 专利范围第1项之中间基板及面连接垫, 其中该中间基板包含: 一实质上为板状之中间基板体,包含一绝缘材料, 并具有一第一面及一第二面,其中该第一面为该半 导体元件支撑,而该第二面被支撑于该基板之一表 面上;及 复数个第一面端,设于该第一面之一侧边上;复数 个第二面端,设于该第二面之一侧边上;及导体架 构,设于该中间基板体中,用以使该等第一面端及 该等第二面端彼此间可互相导电, 该基板及该中间基板体之间以一树脂填充剂填充, 垂直于该被支撑半导体元件之一厚度方向之各侧 边中二相对侧边的长度各实质上等于或差距小于4 mm或小于垂直于该中间基板体之一厚度方向之侧 边中二对应于该半导体元件之该相对二侧边之二 侧边的长度;且 垂直于该被支撑半导体元件之一厚度方向之侧边 中另二相对侧边的长度皆大于垂直于该中间基板 体之一厚度方向之各侧边中对应于该半导体元件 之该另二相对侧边之二侧边的长度,或较后者长度 短4mm。 17.一种具有一半导体元件、一中间基板及一基板 之架构,其包含:如申请专利范围第1项之中间基板 、一具有面连接端之半导体元件及一具有面连接 垫之基板, 其中该中间基板包含: 一实质上为板状之中间基板体,包含一绝缘材料, 并具有一第一面及一第二面,其中该第一面为该半 导体元件支撑,而该第二面被支撑于该基板之一表 面上;及 复数个第一面端,设于该第一面之一侧边上;复数 个第二面端,设于该第二面之一侧边上;及导体架 构,设于该中间基板体中,用以使该等第一面端及 该等第二面端彼此间可互相导电, 该半导体元件及该中间基板体之间以一树脂填充 剂填充, 该基板及该中间基板体之间以一树脂填充剂填充, 其中垂直于该半导体元件之一厚度方向之各侧边 中二相对侧边的长度各实质上等于或小于4mm但差 距在4mm以内或小于垂直于该中间基板体之一厚度 方向之侧边中二对应于该半导体元件之该相对二 侧边之二侧边的长度;且 垂直于该半导体元件之一厚度方向之侧边中另二 相对侧边的长度皆小于但差距在4mm以内或大于垂 直于该中间基板体之一厚度方向之各侧边中对应 于该半导体元件之该另二相对侧边之二侧边的长 度。 图式简单说明: 第1图为本发明之一中置体(或一中间基板)的上视 图; 第2图为自第1图中线X-X所截得之剖面图; 第3图为说明焊块形成于中间基板上之状态的部份 示意图; 第4图为一半导体封装架构(或一架构)之部份示意 图,其中该架构包含一IC晶片(或一半导体元件)、 一中置体(或一中间基板)及一线路线基板(或一基 板); 第5图为本实施例之半导体封装架构中所用之中置 体(或中间基板)的部份示意图; 第6图为本实施例之中置体之一部份的放大上视图 ; 第7图为本实施例之半导体封装结构之一具一IC晶 片之中置体(或一具一半导体元件之中间基板)的 部份示意图; 第8图为说明具本实施例之中置体之中置体受支撑 于一线路基板上之状态的部份示意图; 第9图为一说明本实施例状态之部份示意图,其中IC 晶片支撑于一具一中置体(或一具有一中间基板之 基板)之线路线基板上; 第10图为第1图中实施例之中置体及IC晶片之一部 份的上视图; 第11图为一具另一半导体元件实施例之中间基板 的上视图; 第12图为自第11图中线Y-Y截得之剖面图;及 第13图为一具半导体元件之中间基板支撑于线路 基板上表面上之架构的剖面图。 |
