| 主权项 |
1.一种半导体晶圆之晶片分割方法,系将在基板上 形成半导体层而成之半导体晶圆分割成多数的半 导体晶片之方法,其特征为,包含: 形成在前述半导体晶圆之表面上,留下格子状露出 部之图案之耐喷砂罩幕之步骤,及 对前述半导体晶圆喷射微粒子喷砂材,在前述格子 状露出部形成到达前述基板之预定深度之分割用 槽沟之步骤者, 该基板系由蓝宝石或GaN所成,前述半导体层系由氮 化镓基化合物半导体所成者。 2.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之晶片分割 方法,其中前述喷砂法系将半导体晶圆及喷射微粒 子喷砂材之喷嘴,沿着半导体晶圆之面方向相对地 进给之同时,把微粒子喷砂材扩开成可包涵格子状 露出部之复数条之格子线之程度而喷砂,藉以同时 形成复数条之分割用槽沟者。 3.如申请专利范围第2项之半导体晶圆之晶片分割 方法,其中前述半导体晶圆与喷嘴之距离为,10至150 mm者。 4.如申请专利范围第2项之半导体晶圆之晶片分割 方法,其中前述进给速度系5至200mm/秒者。 5.如申请专利范围第2项之半导体晶圆之晶片分割 方法,其中将前述进给之同时实行之喷砂作业重复 实行预定之通过次数,藉以增加分割用槽沟之深度 者。 6.如申请专利范围第5项之半导体晶圆之晶片分割 方法,其中前述通过次数为3至20趟者。 7.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之晶片分割 方法,其中前述分割用槽沟之宽幅为10至500微米者 。 8.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之晶片分割 方法,其中前述分割用槽沟在基板之深度为1至100 微米者。 9.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之晶片分割 方法,其中前述基板系莫氏硬度8以上之高硬度材 料所成者。 10.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之晶片分割 方法,其中前述分割用槽沟系形成于半导体层形成 侧及半导体层非形成侧的两侧。 11.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之晶片分割 方法,其中前述微粒子喷砂材系以维氏硬度120以上 之材料所成者。 12.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之晶片分割 方法,其中前述微粒子喷砂材系选自氧化铝,碳化 矽,氮化硼,碳化硼或金刚石中之至少一种者。 13.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之晶片分割 方法,其中在前述半导体晶圆之有形成半导体层侧 之表面,形成前述分割用槽沟者。 14.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之晶片分割 方法,其中在前述半导体晶圆之非形成半导体层侧 之表面,形成前述分割用槽沟者。 15.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之晶片分割 方法,其中更包含有在前述分割用槽沟之沟底,或 与前述分割用槽沟相反侧之半导体晶圆之表面实 行刻划而形成刻划线之步骤者。 16.如申请专利范围第15项之半导体晶圆之晶片分 割方法,其中更包含将前述半导体晶圆以前述刻划 线为起点予以断裂而分割成半导体晶片之步骤者 。 图式简单说明: 图1(A)及(B)系显示有关本发明之第一实施形态之半 导体晶圆之晶片分割方法之斜视图。 图2(A)至(C)系显示该晶片分割方法之前半段步骤之 剖视图。 图3(A)至(C)系显示该晶片分割方法之后半段步骤之 剖视图。 图4(A)至(F)系显示该晶片分割方法之实施例之剖视 图。 图5(A)系显示以有关本发明之第二实施形态之半导 体晶圆之晶片分割方法所分割之半导体晶圆之剖 视图,图5(B)系对该半导体晶圆形成分割用沟时之 平视图。 图6(A)至(D)系显示第二实施形态之晶片分割方法之 剖视图。 图7(A)系显示第三实施形态之晶片分割方法之要点 剖视图,(B)系显示第四实施形态之晶片分割方法之 要点剖视图,(C)系显示第五实施形态之晶片分割方 法之要点剖视图。 图8(A)至(C)系显示在自第三实施形态至第五实施形 态之各晶片分割方法中,用切片法形成第二分割用 槽沟或第三分割用沟,使其可到达第一分割用槽沟 之晶片分割方法要点之剖视图。 |
