发明名称 非挥发性记忆体及其制作方法
摘要 本发明系提供一种非挥发性记忆体及其制作方法,非挥发性记忆体,其包含有一基板、一下导电层设于该基板上、一电阻层设于该下导电层上以及一上导电层设于该电阻层上,其中下导电层与电阻层分别由镍酸镧薄膜与锆酸锶薄膜所构成。
申请公布号 TW200623396 申请公布日期 2006.07.01
申请号 TW093139826 申请日期 2004.12.21
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 曾俊元;刘志益;吴沛勋
分类号 H01L27/112;H01L21/8239 主分类号 H01L27/112
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号