发明名称 | 非挥发性记忆体及其制作方法 | ||
摘要 | 本发明系提供一种非挥发性记忆体及其制作方法,非挥发性记忆体,其包含有一基板、一下导电层设于该基板上、一电阻层设于该下导电层上以及一上导电层设于该电阻层上,其中下导电层与电阻层分别由镍酸镧薄膜与锆酸锶薄膜所构成。 | ||
申请公布号 | TW200623396 | 申请公布日期 | 2006.07.01 |
申请号 | TW093139826 | 申请日期 | 2004.12.21 |
申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 曾俊元;刘志益;吴沛勋 |
分类号 | H01L27/112;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L27/112 |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 |