发明名称 | 储存单元阵列的操作方法与非易失性记忆体及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明是关于一种储存单元阵列的操作方法与非易失性记忆体及其制造方法。经由测量选中的储存单元的体区域和选中的储存单元的连接区域之间的电流,读取一个具有串联耦接的电荷捕获结构的储存单元串。电荷捕获结构的电荷储存态会影响所测量之电流。 | ||
申请公布号 | TW200623132 | 申请公布日期 | 2006.07.01 |
申请号 | TW093141315 | 申请日期 | 2004.12.30 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 叶致锴 |
分类号 | G11C16/02;H01L21/8247 | 主分类号 | G11C16/02 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |