薄片切断方法及安装方法

摘要

以在极薄化的半导体晶圆W的背面侧，贴附具备比该半导体晶圆W之平面形状还大的平面形状的接着薄片S的状态，在外周切割用工作台47载置半导体晶圆W并吸附支持。在该状态，以确保比半导体晶圆W之外周缘更突出0.1mm～1mm之薄片的量的状态将该薄片S的外周利用截断器96切断。贴附有薄片S的晶圆W，系移载到安装工作台137被安装在环形框架RF，此时，不形成突出之薄片部分的余隙范围而贴附在切割胶带DT。