制造半导体装置之方法

摘要

本发明揭示一种制造一半导体装置之方法，其包含：将一包含一半导体基板、一形成于该半导体基板上之闸极绝缘膜及一形成于该闸极绝缘膜上之闸电极膜的工件导入一腔室内；及在该腔室内藉由各向异性乾式蚀刻藉由相对于该闸极绝缘膜对该闸电极膜选择性蚀刻而形成一闸电极，其中形成该闸电极包括至少在该闸极绝缘膜之一部分已曝露后，在一蚀刻气体在该腔室内之一滞留时间为100毫秒或更短的条件下蚀刻该闸电极膜。