用于制造具有圆柱型储存节点之半导体记忆装置之方法

摘要

本发明揭示一种制造半导体记忆装置的方法，其可避免在用作一储存节点之单一金属层上，因一针孔或一裂缝造成储仓缺陷。本方法包括以下步骤：在一基板上形成复数个储存节点插塞；形成具有复数个开口的绝缘层，该等开口曝露位在该基板上该复数个储存节点插塞的表面；在同类型的导电层之间形成一不同类型导电层之结构内，在该复数个开口里形成复数个圆柱型储存节点；选择性地移除绝缘层；在该复数个圆柱型储存节点上形成一介电层；以及在该介电层上形成一板电极。