用以长成一应变层之方法

摘要

本发明提供一种用以在一矽(Si)基板10上形成一应变矽层16之方法，其包含在该矽基板10上形成一第一矽锗缓冲层12。随后，使用离子植入法，将一非晶化植入物植入该第一矽锗缓冲层中，以使该第一矽锗缓冲层再现非晶形。退火前，于该第一矽锗缓冲层上长成一第二矽锗缓冲层14。此产生一松弛矽锗层12、14。随后，长成该应变矽层16。