发明名称 用于半导体记忆元件的时脉信号产生装置及其方法
摘要 一种用以产生一参考时脉信号的时脉信号产生装置,其中该参考时脉信号利用同步于一半导体记忆元件送出之一外部时脉信号的方式使资料输出,其至少包含一时脉信号产生单元及一控制单元,其中该时脉信号产生单元用以接收一内步时脉信号,以根据一控制信号产生该参考时脉信号;该控制单元则用以根据一读取命令、一写入命令及一外部位址产生该控制信号。
申请公布号 TW200623125 申请公布日期 2006.07.01
申请号 TW094105221 申请日期 2005.02.22
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 姜泰珍
分类号 G11C11/4076;G11C7/22 主分类号 G11C11/4076
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 韩国