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发明名称
实现双埠同步记忆装置的方法及相关装置
摘要
本发明系提供一种以单埠记忆体来实现双埠同步记忆装置的方法与相关装置。受时脉触发之双埠同步记忆装置可在时脉之同一周期中同步地接收读取及写入指令,以同时进行资料的读取/写入;单埠记忆体在同一时间内则仅能进行单一一个读取或写入指令。而当本发明要以成本较低、布局面积较小之单埠记忆体实现多埠同步记忆装置时,则是在同一周期中使单埠记忆体先完成其中一个指令,再继续执行次一指令,以便在一周期结束时完成读取及写入指令,实现出双埠同步记忆装置的功能。
申请公布号
TW200622606
申请公布日期
2006.07.01
申请号
TW093141208
申请日期
2004.12.29
申请人
威瀚科技股份有限公司
发明人
陈圣中;徐荣灿
分类号
G06F12/00;G11C11/21
主分类号
G06F12/00
代理机构
代理人
许锺迪
主权项
地址
台北县新店市中正路531号5楼
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