含有硫原子之微影蚀刻用抗反射膜形成用组成物

摘要

本发明之课题系提供，显示高度抗反射效果，并不会引起与光阻之混杂(inter–mixing)，与光阻比较具有大的乾蚀刻速度之可在半导体装置制造之微影蚀刻处理过程中使用之抗反射膜，及形成该抗反射膜用之组成物。本发明之解决手段系含有，将具有硫构造之含硫化合物与具有二个以上可以羟甲基或烷氧甲基取代之氮原子的含氮化合物，在酸触媒之存在下使之反应所得反应生成物及溶剂之微影蚀刻用抗反射膜形成组成物。