发明名称 在其他元件之处理期间记忆体格之主动层(ACTIVE LAYER)之保护
摘要 一种藉由提供导电层(102)、提供介电层(100)在导电层(102)上、提供第一和第二开孔(104,106)通过介电层(100)、分别在第一和第二开孔(104,106)中提供第一和第二导电体(108,110)且与导电层(102)接触、提供记忆体结构(126)在第一导电体(108)上、提供保护元件(134)在记忆体结构(126)上、以及在第二导电体(110)上进行处理(processing)来制造电子结构之方法。
申请公布号 TW200623334 申请公布日期 2006.07.01
申请号 TW094139371 申请日期 2005.11.10
申请人 史班逊股份有限公司 发明人 艾凡吉诺 史帝芬;索高林 依高尔;潘格洛 塞则第;崔普塞斯;雪尔兹
分类号 H01L21/8239;H01L21/768 主分类号 H01L21/8239
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国