发明名称 电浆产生方法及装置,以及利用该方法及装置的低压磁控管溅射方法及装置
摘要 本发明的课题是在于提供一种即使在极低压空间中照样可产生电浆之电浆产生方法及装置。并且,提供一种可形成致密且平滑的膜之低压磁控管溅射方法及装置。电浆产生方法系于真空处理室内,使至少2000奥斯特(oersted)产生位置,使用氙或氪气体来作为惰性气体种,气体压设定成5.0×10^-3Pa~1.2×10^-2Pa,而使电浆产生。又,电浆产生装置系具有:电极,其系配置于真空处理室内;电源,其系对该电极施加电压;磁场产生手段,其系于真空处理室内的电浆产生位置使至少2000奥斯特以上的磁场产生;及气体导入手段,其系以真空处理室内的气体压能够形成5.0×10^-3Pa~1.2×10^-2Pa之方式,在真空处理室内导入氙或氪气体。又,低压磁控管溅射方法系于电浆产生位置使至少2000奥斯特以上的磁场产生,使用氙或氪气体来作为惰性气体种,气体压设定成5.0×10^-3Pa~1.2×10^-2Pa,而使电浆产生,溅射靶。又,低压磁控管溅射装置系具有:电极,其系配置于真空处理室内;电源,其系对该电极施加电压;靶,其系装着于该电极的表面;磁场产生手段,其系装着于该电极的背面侧,在靶表面上的电浆产生位置使至少2000奥斯特以上的磁场产生;气体导入手段,其系以真空处理室内的气体压能够形成5.0×10^-3Pa~1.2×10^-2Pa之方式,在真空处理室内导入氙气体或氪气体。
申请公布号 TW200622016 申请公布日期 2006.07.01
申请号 TW094138868 申请日期 2005.11.04
申请人 爱发科股份有限公司 发明人 森田正
分类号 C23C14/34;H05H1/24 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本