减小沟道之植入条件的最佳化之方法及所形成之构造

摘要

本发明乃说明形成一种微电子构造之方法。这些方法包含以一第一能量植入一物种之一第一浓度至一主动区域，其中此物种预先损害主动区域之一部份，且接着以一第二能量植入此物种之一第二浓度至主动区域，其中此物种之总浓度实质上不穿透一下方沟道区域。