半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。本发明系在蚀刻形成沟渠(50)之际，在其内侧残留凸部(70)。在包含排列有凸部(70)的沟渠(50)的半导体基板主面旋涂抗蚀剂(86)。在对应于该抗蚀剂(86)的沟渠(50)的部分设置开口部，将该抗蚀剂(86)作为遮罩，进行形成LDD区域的离子植入。由此免除在源极区域及汲极区域与被该等区域夹持的位置的闸极电极下的通道区域之间形成沟渠，在该沟渠的表面离子植入杂质而形成LDD区域的电晶体中，离子植入的遮罩抗蚀剂的膜厚在沟渠内的不均匀。