半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置包括一与一通道区域相应，在矽基板上经由闸极绝缘膜形成的闸极电极；分别形成于该闸极电极的侧壁绝缘膜外侧的矽基板中，由p型扩散区构成的源极区与汲极区；以及分别磊晶形成于该侧壁绝缘膜外侧的矽基板中的一对SiGe混晶区，该对SiGe混晶区分别由互相面对的侧壁表面定义，其中，在各SiGe混晶区中，该侧壁表面由复数个分面(facet)定义，该些复数个分面分别与该矽基板的主表面形成相互不同的角度。