| 摘要 |
本发明提供一种半导体MOSFET装置(70，100)及制造该装置之方法，该装置包括一用于降低闸–汲电容(CGD)而不会同时增加闸电阻或整体装置导通电阻(RDSON)之防护结构(86，210)。该防护结构(86，210)以独立虚设闸(87)或其中形成有材料(214)之渠沟(212)之形式形成于汲极区域(76，106)与主动闸电极(88，118)之间。该防护结构(86，210)在闸(88，118)与汲极区域(76，106)之间形成电容“防护”。该MOSFET装置(70，100)进一步包括一半导体材料(74，104)，以在其中界定汲极区域(76，106)、形成于半导体材料(74，104)中之至少一体区域(78，108)、形成于每一体区域(78，108)中之至少一源极区域(80，110)、及形成于半导体材料(74，104)上之主动闸电极(88，118)。 |
