以平衡浅沟隔离应力及光学邻接效应制造半导体装置之方法

摘要

本发明提供一种用于制造一半导体装置的方法，该方法包含：确定一第一半导体装置之一隔离结构应力效应；确定一第二半导体装置之一光学邻接效应；选择一模型化设计参数以使得在一制造模型上该隔离结构应力效应抵销该光学邻接效应；及使用该选定设计参数以建构一第三半导体装置。