| 主权项 |
1.一种金属研磨组成物,其系用于研磨金属膜,其包 含:与金属膜所含的金属、该金属之氧化物或该金 属之离子中任何一种反应形成不溶性错合物之错 合物形成化合物,以及在金属膜表面上聚合以在金 属膜表面上形成聚合膜之成膜性化合物。 2.如申请专利范围第1项之金属研磨组成物,其中成 膜性化合物系为以一种以上金属膜所含的金属、 该金属之氧化物、该金属之离子作为触媒予以聚 合者。 3.如申请专利范围第1项之金属研磨组成物,其中成 膜性化合物系为至少一种选自于苯酚化合物、芳 香族二胺化合物。 4.如申请专利范围第3项之金属研磨组成物,其中苯 酚化合物系为具有2个以上酚性羟基之化合物。 5.如申请专利范围第4项之金属研磨组成物,其中具 有2个以上酚性羟基之化合物系为至少一种选自于 儿茶酚、焦儿茶酚、蒜酸、丹宁酸、聚苯酚。 6.如申请专利范围第5项之金属研磨组成物,其中聚 苯酚为丹宁。 7.如申请专利范围第1项之金属研磨组成物,其中金 属研磨组成物更含有氧化剂,且聚合为氧化聚合。 8.如申请专利范围第3项之金属研磨组成物,其中氧 化剂为至少一种选自于氧、臭氧、过氧化氢、过 硫酸铵。 9.如申请专利范围第1项之金属研磨组成物,其更包 含有机酸及/或胺基酸。 10.如申请专利范围第1项之金属研磨组成物,其中 错合物形成化合物为唑类。 11.如申请专利范围第10项之金属研磨组成物,其中 唑类为苯并三唑。 12.如申请专利范围第1项之金属研磨组成物,其更 含有研磨粒。 13.如申请专利范围第12项之金属研磨组成物,其中 研磨粒系由至少一种选自于二氧化矽、氧化铝、 二氧化铈、有机研磨粒所成。 14.如申请专利范围第1项之金属研磨组成物,其系 用于研磨填充在具有凹部之基板上而覆盖该凹部 的金属膜。 15.如申请专利范围第14项之金属膜研磨用金属研 磨组成物,其中在具有凹部之基板上形成有障壁金 属膜。 16.如申请专利范围第1项之金属研磨组成物,其中 金属膜中所含的金属为铜或含铜之合金。 17.如申请专利范围第15项之金属膜研磨用金属研 磨组成物其中障壁金属膜由钽系金属所成。 18.一种金属研磨方法,其系使金属膜平坦化的研磨 方法,特征在于: (a)使用如申请专利范围第1-17项中任一项之研磨组 成物, (b)与金属膜所含的金属、该金属之氧化物或该金 属之离子中任何一种形成不溶性错合物,及 (c)于金属膜表面上聚合,以在金属表面上形成聚合 膜,而予以作研磨。 19.一种基板之制法,其系将金属膜研磨以使平坦化 的基板之制法,该金属膜系形成在具有凹部的基板 上且以覆盖上述凹部的方式来填充,其特征在于: (a)藉由如申请专利范围第18项之研磨方法, (b)与金属膜所含的金属、该金属之氧化物或该金 属之离子中任何一种形成不溶性错合物,及 (c)于金属膜表面上聚合,以在金属表面上形成聚合 膜,藉由研磨以使上述金属膜平坦化。 |
