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发明名称
Verfahren zur Ausbildung eines Oxynitridgatedielektrikums, Oxynitridgatedielektrikum und darauf angeordneter Gatestapel
摘要
申请公布号
DE19963674(B4)
申请公布日期
2006.06.29
申请号
DE19991063674
申请日期
1999.12.29
申请人
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK
发明人
BUCHMANN, DOUGLAS;COPEL, MATTHEW;VAREKAMP, PATRICK RONALD
分类号
H01L21/336;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/318;H01L29/51
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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