| 摘要 |
Es wird eine Halbleitervorrichtung erhalten, bei der hervorragende Eigenschaften erzielt werden, die Zuverlässigkeit verbessert ist und für die Herstellung auch ein SiC-Wafer verwendet werden kann. Eine Mehrzahl von Schottky-Barrierendiodeneinheiten 10 ist auf einem SiC-Chip 9 ausgebildet und jede der Einheiten 10 hat eine externe Ausgangseleketrode 4 unabhängig von den anderen. Bumps 11 (der Durchmesser reicht von einigen 10 bis einigen 100 mum) sind lediglich auf den externen Ausgangselektroden 4 der nicht defekten Einheiten unter den Einheiten 10, die auf dem SiC-Chip 9 ausgebildet sind, ausgebildet, während Bumps nicht ausgebildet sind auf den externen Ausgangselektroden 4 der defekten Einheiten, bei denen die Spannungsfestigkeit zu niedrig ist oder der Leckstrom zu hoch ist. Da die Bumps nicht auf den defekten Einheiten ausgebildet sind, sind Schottky-Barriereseitige Elektroden 3 über die Bumps 11 und eine Verdrahtungsschicht 13 und eine externe Leitung 13a eines Verdrahtungssubstrats 12 parallel zueinander mit dem Äußeren der Vorrichtung verbunden. Dadurch sind lediglich die externen Ausgangselektroden 4 der nicht defekten Einheiten 10 parallel miteinander verbunden. |
