| 摘要 |
Gegenstand der Erfindung ist ein Suszeptor zum Ablegen einer Halbleiterscheibe beim Abscheiden einer Schicht auf einer Vorderseite der Halbleiterscheibe durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) mit einer gasdurchlässigen Struktur mit einer Porosität vom mindestens 15%, einer Dichte von 0,5 bis 1,5 g/cm·3·, einem Porendurchmesser kleiner als 0,1 mm und einer inneren Oberfläche der Poren größer als 10000 cm·2· / cm·3·. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Halbleiterscheibe mit einer Rückseite und einer durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) beschichteten Vorderseite und einer polierten oder geätzten Rückseite, bei der die Nanotopographie der Rückseite, ausgedrückt als Höhenschwankung PV (= peak to valley), kleiner als 5 nm ist und gleichzeitig der "halo" der Rückseite, ausgedrückt als Haze, kleiner als 5 ppm ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe.
|
