化合物半导体开关电路装置

摘要

一种化合物半导体开关电路装置，在开关MMIC中，具有为提高静电击穿电压，将控制电阻靠近共通输入端子焊盘及输出端子焊盘而配置，并利用焊盘的周边杂质区域连接保护元件的情况。但是，由于电阻值低的控制电阻和保护元件的寄生电容而产生高频信号的通路，存在绝缘劣化的问题。在与开关元件接近的保护元件间、及相邻的保护元件间的控制电阻上连接高电阻体。即使遮断高频信号的通路，并连接保护元件而存在寄生电容，也可以防止高频信号的泄漏。因此，可提高静电击穿电压，且可抑制绝缘的劣化。

主权项

1、一种化合物半导体开关电路装置，其具有：多个开关元件；共通输入端子，其共通连接所述开关元件的源极或漏极；多个输出端子，其分别与所述开关元件的漏极或源极连接；多个控制端子，其分别与所述开关元件的栅极连接，其特征在于，将所述开关元件、分别连接所述各控制端子和对应该控制端子的所述开关元件的多个连接装置、作为所述各端子的多个焊盘以及保护元件集成在化合物半导体衬底上，其中，所述保护元件连接在一个所述连接装置和所述共通输入端子间或所述输出端子间，在第一传导区域及第二传导区域间配置有绝缘区域，一个所述连接装置在所述保护元件的连接点和所述开关元件之间串联连接有高电阻体。