| 发明名称 | 纳米晶软磁合金薄膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于软磁合金领域，本发明提供了一种纳米晶软磁合金薄膜材料，包括金属铁薄膜、铁镍合金薄膜、铁钴合金薄膜、铁镍钴合金薄膜。所述薄膜的厚度在5～100μm，晶粒尺寸在30nm～120nm。其制造方法是在含有待沉积金属离子的电解液中通过直流电沉积的方式制备纳米软磁合金薄膜。通过控制纳米晶软磁薄膜的制备工艺参数，即调整电沉积过程中的电流密度、电沉积时间以及电解液的pH值等，可以获得高饱和磁感应强度、低矫顽力的纳米软磁薄膜材料。本发明制备的纳米晶软磁合金薄膜材料适用于高频交变磁场环境中工作的各种电子器件以及低频屏蔽领域。 | ||
| 申请公布号 | CN1794374A | 申请公布日期 | 2006.06.28 |
| 申请号 | CN200510127811.9 | 申请日期 | 2005.12.06 |
| 申请人 | 钢铁研究总院;安泰科技股份有限公司 | 发明人 | 孙克;韩伟;刘天成;卢志超;李德仁;刘辉;周少雄 |
| 分类号 | H01F1/147(2006.01);H01F1/16(2006.01);C25D1/04(2006.01) | 主分类号 | H01F1/147(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中安信知识产权代理事务所 | 代理人 | 金向荣 |
| 主权项 | 1、一种纳米晶软磁合金薄膜材料，包括金属铁薄膜、铁镍合金薄膜、铁钴合金薄膜、铁镍钴合金薄膜，其特征在于薄膜材料厚度为5～100μm之间，其组织结构是粒径为30～120nm的纳米晶组成。 | ||
| 地址 | 100081北京市海淀区学院南路76号 | ||