发明名称 |
一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种耐电晕聚酰亚胺薄膜,其成分配比为:均苯四甲酸二酐以质量计占30%、4.4/一二氨基二苯醚以质量计占30%、二甲基乙醚胺以质量计占15%、正硅酸乙酯以质量计占5%、甲基三乙氧基硅烷以质量计占6%、异丙醇铝以质量计占4%、N-甲基1-2吡咯烷酮以质量计占适量;其制备方法是:聚酰胺酸在搅拌下加入正硅酸乙酯硫酸铝、水和催化剂制得混合溶液,再亚胺化,可以制得自支撑膜,将聚酰胺酸与三乙胺作用,以甲醇为溶剂进行溶胶-凝胶化反应,可得到含20%Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>.SiO<SUB>2</SUB>的透明薄膜,采用二胺制得功能化的聚酰胺酸,达到70%仍可得到透明薄膜用苯基三乙基硅氧烷(PTEO)代替TEOS得到SiO<SUB>2</SUB>含量45%且相容性良好的透明薄膜,在溶胶-凝胶化过程中加入少量偶联剂有效地增加两相的相容性。 |
申请公布号 |
CN1793231A |
申请公布日期 |
2006.06.28 |
申请号 |
CN200610023173.0 |
申请日期 |
2006.01.10 |
申请人 |
上海电器科学研究所(集团)有限公司 |
发明人 |
邵爱凤 |
分类号 |
C08L79/08(2006.01);C08J5/18(2006.01);C08K3/36(2006.01) |
主分类号 |
C08L79/08(2006.01) |
代理机构 |
上海申汇专利代理有限公司 |
代理人 |
俞宗耀 |
主权项 |
1、一种耐电晕聚酰亚胺薄膜,其特征在于:将聚酰胺酸通过流延法涂膜和亚胺化工艺及亚胺化程度控制,再经过热处理后,得到耐电晕聚酰亚胺薄膜,其成份配比为:均苯四甲酸二酐以质量计占30%、4.4/一二氨基二苯醚以质量计占30%、二甲基乙醚胺以质量计占15%、正硅酸乙酯以质量计占5%、甲基三乙氧基硅烷以质量计占6%、异丙醇铝以质量计占4%、N-甲基1-2吡咯烷酮以质量计占适量。 |
地址 |
200063上海市普陀区武宁路505号 |