| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 在此提供一种半导体器件，其能够防止其上面的电感器元件的性能下降。一个高电阻区域被提供在形成于该半导体基片上的电感器元件的下方。该高电阻区域被形成为比p沟道和n沟道MOS晶体管更深，因此防止由于在电感器元件所产生的磁通量而导致涡电流的感应。 | ||
| 申请公布号 | CN1262009C | 申请公布日期 | 2006.06.28 |
| 申请号 | CN03146258.8 | 申请日期 | 2003.07.04 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 吉村鉄夫 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：具有预定基片电阻率的半导体基片；形成在该半导体基片中的器件区；形成在该器件区中的杂质扩散区；形成在该半导体基片的第一表面上的电感器元件；以及形成在与该电感器元件相面对的半导体基片中的一个高电阻区域，其具有比该半导体基片的电阻率更高的电阻率，其中一个凹陷部分形成在与所述电感器元件相面对的所述半导体基片的第二表面上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||