| 发明名称 | 降低导电薄膜表面粗糙尖端的方法 | ||
| 摘要 | 一种降低导电薄膜表面粗糙尖端的方法，它至少包含形成一导电薄膜于基板的上表面；及施加一偏压于导电薄膜，并同时对导电薄膜进行干式蚀刻，用以平坦化导电薄膜表面；导电薄膜的粗糙尖端因尖端放电效应，产生较大的电场，而得到较高的蚀刻率，有效平坦化导电薄膜表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1261987C | 申请公布日期 | 2006.06.28 |
| 申请号 | CN02148735.9 | 申请日期 | 2002.11.15 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 陈韵升 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L51/40(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种降低导电薄膜表面粗糙尖端的方法，其特征是：它至少包含下列步骤：(1)形成一导电薄膜于一基板的上表面；(2)施加一偏压于该导电薄膜，并同时对该导电薄膜进行干式蚀刻，用以平坦化该导电薄膜表面；该导电薄膜的粗糙尖端因尖端放电效应，产生较大的电场，而得到较高的蚀刻率，有效平坦化该导电薄膜表面。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||