MOS TRANSISTOR HAVING TITANIUM SILICIDE AND FABRICATION METHOD THEREOF,申请号KR20040111039-传众专利搜索

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发明名称	MOS TRANSISTOR HAVING TITANIUM SILICIDE AND FABRICATION METHOD THEREOF
摘要
申请公布号	KR20060072414(A)	申请公布日期	2006.06.28
申请号	KR20040111039	申请日期	2004.12.23
申请人	DONGBU ELECTRONICS CO., LTD.	发明人	LEE, JOUNG HO
分类号	H01L29/78	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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