发明名称 |
具有单壁碳纳米管结构的“与”门逻辑器件及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种以单壁碳纳米管为基础的“与”门逻辑器件,该逻辑器件由一单壁碳纳米管、两个独立的栅极和三个独立的栅极构成。中间电极加恒定偏压并作为输出端,另外两个电极接地。利用两个栅极为输入端,用来控制单壁碳纳米管截止或导通,从而实现了逻辑“与”运算。与其它单壁碳纳米管逻辑电路相比,本发明结构简单,且易于制作。 |
申请公布号 |
CN1262008C |
申请公布日期 |
2006.06.28 |
申请号 |
CN02123865.0 |
申请日期 |
2002.07.05 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
赵继刚;王太宏 |
分类号 |
H01L27/04(2006.01);H03K19/20(2006.01);H03K19/02(2006.01);H01L21/822(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/04(2006.01) |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王凤华 |
主权项 |
1.一种具有单壁碳纳米管结构的“与”门逻辑器件,包括:Si衬底,在该Si衬底上设有SiO2绝缘层,单壁碳纳米管、栅极、电极和外电路中的电阻;其特征在于:所述的栅极包括两个独立栅极,栅极由在该Si衬底上设置的SiO2绝缘层沟槽内沉积Al及经表面氧化形成的Al2O3绝缘层构成;所述的电极包括3个,第一电极、第二电极与第三电极,3个电极设置在一根单壁碳纳米管之上或之下,栅极和电极相间平行排列;所述的单壁碳纳米管平直放置在SiO2绝缘层的表面上,与栅极的Al2O3绝缘层表面以及3个电极的贵金属层表面相接触,第一电极与第三电极接地,第二电极与外电路中的电阻相连。 |
地址 |
100080北京市海淀区中关村南三街8号 |