半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，在现有的功率MOSFET中，由于在元件部产生击穿，在保护环结束，故存在击穿位置移动，产生击穿电压不稳定的蠕变现象的问题。在本发明中，在包围元件部的元件外周部形成npn结或pin结，施加与元件部的源极电极相同的电位，使元件外周部的击穿电压通常比元件部的击穿电压低。或者，降低元件外周部的电阻。由此，击穿通常在元件外周部产生，击穿电压稳定。并且，由于在脆弱的栅极氧化膜不产生击穿，从而防止击穿引起的破坏。另外，由于电阻变低，故静电破坏承受力提高。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，具有：元件部，其具有构成漏极区域的一导电型半导体衬底、设于所述衬底表面上的反向导电型沟道层、介由绝缘膜与所述沟道层相接而设置的栅极电极、设于与所述栅极电极邻接的所述沟道层表面上的一导电型源极区域；元件外周部，其包围所述元件部的外周；反向导电型周边区域，其设于所述元件外周部；第一电极，其与所述元件部的所述源极区域接触；第二电极，其设于所述周边区域上，与所述元件外周部电连接，将漏极-源极间的击穿位置诱导至所述元件外周部。