检查曝光装置、补正焦点位置和制造半导体装置的方法

摘要

提供一种能够以低成本、快速、高精度、并且容易地调查曝光装置的光学系统的状态的曝光装置的检查方法。在掩膜1上，形成由线宽度W_T是0.15的线形状的第1掩膜图案4a、与该图案4a平行的线宽度W_F是1.0μm的线形状的第2掩膜图案组成的掩膜图案4。在曝光装置5的二次光源面一侧上配置照明孔径12，照明光源6从光轴16开始以实际上偏移0.3σ的偏轴状态照明掩膜1，在把各图案4a、4b的像曝光投影在半导体基片13上的光致抗蚀剂17上进行复制后，显影形成第1以及第2抗蚀剂图案14a、14b。测定各抗蚀剂图案14a、14b的相对距离D1_W，求出和各掩膜图案4a、4b的相对距离D1_M的差，求出半导体基片13的散焦量d。

主权项

1.一种曝光装置的检查方法，其特征在于：从曝光装置的光轴偏移的方向照射形成有掩膜图案的掩膜，该掩膜图案包含至少一组相互形状不同的第1掩膜图案以及第2掩膜图案，向显像体曝光投影上述掩膜图案的像，通过测定被曝光投影在上述显像体上的上述第1以及第2各掩膜图案的像之间的相对距离，调查上述曝光装置的光学系统的状态。