| 发明名称 | 表面声波器件和表面声波器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 表面声波器件和表面声波器件的制造方法。本发明的课题是提供一种表面声波器件和表面声波器件的制造方法，在半导体基板上具有IC区域和表面声波元件区域并构成为一个芯片，能够确保形成表面声波元件的部分的平坦度，获得良好的特性。表面声波器件(1)在半导体基板上具有IC区域和表面声波元件区域并构成为一个芯片，在表面声波元件区域的半导体基板(30)上及元件绝缘膜(32)上而且形成有表面声波元件(24)的区域的下方，形成与IDT电极(22)的电极指(21)大致平行而且是相同间距P的线状的层厚度调整膜(32、35)。 | ||
| 申请公布号 | CN1794573A | 申请公布日期 | 2006.06.28 |
| 申请号 | CN200510135036.1 | 申请日期 | 2005.12.21 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 古畑诚;佐藤久克 |
| 分类号 | H03H9/25(2006.01);H03H3/08(2006.01) | 主分类号 | H03H9/25(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄纶伟 |
| 主权项 | 1.一种表面声波器件，在半导体基板上至少具有IC区域和表面声波元件区域并构成为一个芯片，其特征在于，至少具有：半导体元件层，其在所述IC区域中形成有半导体元件、和覆盖所述半导体元件并延伸到表面声波元件区域的元件绝缘膜；配线层，其通过在所述半导体元件层上层叠与所述半导体元件进行连接的配线、和对所述配线之间进行绝缘并延伸到表面声波元件区域的配线绝缘膜而形成；形成于所述配线绝缘膜上方的压电薄膜；表面声波元件，其具有在所述表面声波元件区域中的所述压电薄膜上形成的设置有多个电极指的IDT电极，在所述表面声波元件区域中的所述半导体基板上或者所述元件绝缘膜或所述配线绝缘膜上、而且形成有所述表面声波元件的区域的下方，形成有至少一层与所述IDT电极的电极指大致平行而且是相同间距的线状的层厚度调整膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||