发明名称 |
CMOS图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种能够提高光的聚焦能力的CMOS图像传感器及其制造方法。CMOS图像传感器包括多个在平面化层的上部形成的第一微透镜,每个第一微透镜均排列在相应的光电二极管上方,以及在平面化层上形成的多个第二微透镜,多个第二微透镜的每个分别包围相应的第一微透镜。 |
申请公布号 |
CN1794462A |
申请公布日期 |
2006.06.28 |
申请号 |
CN200510132832.X |
申请日期 |
2005.12.22 |
申请人 |
东部亚南半导体株式会社 |
发明人 |
金尚源 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
余刚 |
主权项 |
1.一种CMOS图像传感器,包括:半导体衬底;多个光电二极管,相互间以预定距离排列在所述半导体衬底上;内绝缘层,形成在包括所述光电二极管的所述半导体衬底的整个表面上;多个滤色器层,相互间以预定距离排列在所述内绝缘层上;平面化层,形成在包括所述滤色器层的所述半导体衬底的整个表面上;多个第一微透镜,形成在所述平面化层的上部中,每个所述第一微透镜分别排列在相应的光电二极管上方;以及多个第二微透镜,形成在所述平面化层上,所述多个第二微透镜中的每个分别包围相应的第一微透镜。 |
地址 |
韩国首尔 |